Universitat Rovira i Virgili
Campus d'Excel·lència Internacional Catalunya Sud
Grup de recerca NEPHOS

PUBLICACIONS

Publicacions: Articles a Revistes internacionals .

157 publicacions en revistes internacionals fins al 2019. Mostra dels articles i publicacions més rellevants des del 2019:

  1. B. Iñíguez i E. García-Moreno, "A Physically-Based C∞-Continuous Model for Small-Geometry MOSFETs," IEEE Transaccions en Dispositius electrònics , vol. 42, núm. 2, pàgs. 283-287, febrer de 1995.
  2. B. Iñíguez, L. F. Ferreira, B. Gentinne i D. Flandre, "A Physically-Based C∞-Continuous Fully-Depleted SOI MOSFET Model for Analog Applications," Transaccions IEEE en dispositius electrònics, vol. 43, núm. 4, pàg. 568-575, abril 1996
  3. B. Iñíguez i T. A. Fjeldly, "Unified Substrate Current Model for MOSFETs," Electrònica d'estat sòlid, vol. 40, no. 1, pàgs. 87-94, gener de 1997
  4. M. Jacunski, M. S. Shur, A. A. Owusu, T. Ytterdal, M. Hack i B. Iñíguez, "A Short - Channel DC SPICE Model for Polysilicon Thin - Film Transistors Including Temperature Effects," IEEE Trans. a Electron Dispositius, vol. 46, núm. 6, pàgs. 1146-1158, juny de 1999...
  5. B. Iñiguez, Z. Xu, T. A. Fjeldly i M. S. Shur, "Unified Model for Short-Channel Poly-TFTs," Estat sòlid Electrònica, 43, pp; 1821-1831, octubre de 1999.
  6. B. Iñíguez, B. Gentinne, V. Dessard i D. Flandre, "A Physically-Based C∞-Continuous Model for Accumulation-Mode SOI pMOSFETs, " Transaccions IEEE en dispositius electrònics, vol. 46, núm. 12, pàgines 2295-2303, desembre de 1999.
  7. L. Wang, T. A. Fjeldly, B. Iñíguez, H. C. Slade i M. S. Shur, "Self-Heating and Kink Effects in a-Si:H Thin-Film Transistors," IEEE Trans. On Electró Dispositius, vol. 47, núm. 2, pàgs. 387-397, febrer 2000.
  8. B. Iñíguez, J. P. Raskin, L. Demeûs, A. Nève, D. Vanhoenacker, M. Goffioul P. Simon i D. Flandre, "Deep-Submicron DC to RF SOI MOSFET Macro-Model," IEEE Trans on Electron Devices, vol. 48, núm. 9, pàg. 1981-1988, setembre de 2001.
  9. V. Dessard, B. Iñíguez, S. Adriaensen i D. Flandre, "SOI n-MOSFET Low-Frequency Noise Measurements and Modeling from Room Temperature up to 250oC, " IEEE Trans on Electron Devices, vol. 49, núm. 7, pàgs. 1289-1295, juliol de 2002.
  10. D. Jiménez, J. J. Sáenz, B. Iñíguez, J. Suñé, L. F. Marsal i J. Pallarès, "Modeling of nanoscale gate-all-around MOSFETs, " IEEE Electron Dispositiu Lletres, vol. 25, núm. 5, pàgs. 314-316, maig 2004.
  11. D. Jiménez, B. Iñíguez, J. Suñé, L. F. Marsal, J. Pallarès, J. Roig and D. Flores, " Continuous analytic I-V model for surrounding-gate MOSFETs," IEEE Electron Device Letters, vol. 25, no. 8, pp. 571-573, August 2004.
  12. B. Iñiguez, T. A., Fjeldly, A. Lazaro, F. Danneville i M. J. Deen, "Solucions de modelatge compactes per a MOSFET de doble porta i porta a escala nanomètrica" IEEE Trans. on Electron Devices, vol 53, núm. 9, pàgines 2128-2142, setembre de 2006 (document convidat)
  13. O. Moldovan, B. Iñiguez, D. Jiménez, J. Roig, "Analytical Charge and Capacitance Models of Undoped Cylindrical Surrounding Gate MOSFETs," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 54, núm. 1, pàgs. 162-165, gener de 2007.
  14. O. Moldovan, D. Jiménez, J. Roig, F. Chávez i B. Iñiguez, "Explicit and analytical charge and capacitance models for undoped Double-Gate MOSFETs," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 54, núm. 7 de juliol de 2007.
  15. H. Abd El Hamid, B. Iñiguez, J. Roig, "Two-Dimensional Analytical Model Threshold Voltage and Subthreshold Swing Models of Undoped Double-Gate MOSFETs," Transacció IEEE en dispositius electrònics, vol. 52, núm. 6, pàgines 1402-1408, juny de 2007
  16. H. Abd El Hamid, B. Iñiguez, J. Roig, "Analytical Model of the Threshold Voltage and Subthreshold Swing of Undoped Cylindrical Gate All Around MOSFETs," Transacció IEEE en dispositius electrònics, vol. 52, núm. 3, pàgines 414-422, març 2007
  17. H. Abd El Hamid, J. Roig, V. Kilchytska, D. Flandre i B. Iñiguez, "A 3-D Analytical Physically-Based Model for the Subthreshold Swing in Undoped Tri-Gate FinFETs," IEEE Trans. en dispositius electrònics, vol. 54, núm. 9 de setembre de 2007.
  18. B. Iñiguez, R. Picos, D. Veksler, A. Koudymov, M. S. Shur, T. Ytterdal, W. Jackson, "Universal compact model for long-and short-channel Thin-Film Transistors," Electrònica d'estat sòlid: número especial de la conferència internacional TFT a> Volum 52, núm. 3, pàgs. 400-405, març de 2008.
  19. M. Estrada, I. Mejía, A. Cerdeira, J. Pallares, L.F. Marsal i B. Iñiguez, "Mobility model for compact device modeling of OTFTs made with different materials", Solid-State Electronics , vol. 52, número 5, maig de 2008, pàgines 787-794
  20. F. Lime, B.Iñiguez i O. Moldovan, "Un model de corrent de drenatge compacte quasi bidimensional per a MOSFET de porta doble simètrica sense dopament que inclou efectes de canal curt"; IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 55, núm. 6, pàgines 1441-1448, juny de 2008
  21. H. Børli, S. Kolberg, T. A. Fjeldly, B. Iñiguez, "Marc de modelatge precís per a MOSFET de doble porta i porta de canal curt" IEEE Trans. on Electró Dispositius, vol. 55, núm. 10, pàgines 2678-2686, octubre 2008
  22. B. Nae, A. Lázaro, B. Iñiguez, "Model d'alta freqüència i soroll de transistors d'efecte de camp de gate-all-around d'òxid de metall-semiconductor" Journal of Applied Physics, vol.105, no 7, 074505, 2009.
  23. O. Marinov; M.J. Deen; J.A.J. Tejada; B. Iñiguez, "Impacte de la capacitat de franges a la part posterior dels transistors de pel·lícula fina" Orgànic Electronics, vol. 12, núm. 6, pàgines 936 -949, juny de 2010.
  24. J. M. Sallese, N.Chevillon, C. Lallement, B. Iñiguez, "Charge-based modeling of junctionless Double-Gate Field Effect Transistors," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 58, núm. 8, pàgines 2628-2637, agost 2011.
  25. Cheralathan, M.; Iannaccone, G.; Sangiorgi, E.; Iniguez, B., "Model de corrent de drenatge analític que reprodueix models de transport avançats en MOSFET cilíndrics de porta circumdant (SRG) a nanoescala"," Revista de Física aplicada , Vol. 110, núm. 3, número d'article 034510, març de 2011.
  26. Klimenko, OA.; Knap, W.; Iniguez, B.; Coquillat, D.; Mityagin, YA.; Teppe, F.; Dyakonova, N.; Videlier, H.; Però, D.; Calç, F.; Marczewski, J.; Kucharski, K., "Millora de la temperatura de la resposta de terahertz dels transistors d'efecte de camp de plasma"; Revista de Física aplicada , vol. 112, núm. 1, número d'article 014506, 2012.
  27. Castro-Carranza, A.; Nolasco, J.C.; Estrada, M.; Gwoziecki, R.; Benwadih, M.; Xu, Y.; Cerdeira, A.; Marsal, L.F.; Ghibaudo, G.; Iñiguez,B.; Pallares, J., "Efecte de la densitat dels estats sobre la mobilitat en transistors de pel·lícula prima orgànica de tipus n de molècules petites basats en una diimida de perilen"; Lletres de dispositius electrònics IEEE, vol. 33, núm. 8, pàgines 1201-1203, agost de 2012.
  28. Goyal N.; Íñiguez, B.; Fjeldly, T.A., "Modelació analítica de l'alçada de la barrera superficial nua i la densitat de càrrega en heteroestructures AlGaN/GaN" Lletres de Física Aplicada, vol. 101, núm. 10, pàg. 103505-1 -3 (2012)
  29. M. Schwarz, T. Holtij, A. Kloes, B. Iñiguez, "Performance Study of a Schottky Barrier Double-Gate MOSFET Using a Two-Dimensional Analytical Model", " IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 60, no. 2, pàgines 880-882, febrer de 2013.
  30. M. Schwarz, T. Holtij, A. Kloes, B. Iñiguez, "Performance Study of a Schottky Barrier Double-Gate MOSFET Using a Two-Dimensional Analytical Model", " IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 60, no. 2, pàgines 880-882, febrer 2013
  31. M. Schwarz, T. Holtij, A. Kloes, B. Iñiguez, "Performance Study of a Schottky Barrier Double-Gate MOSFET Using a Two-Dimensional Analytical Model", " IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 60, no. 2, pàgines 880-882, febrer 2013
  32. M. Schwarz, T. Holtij, A. Kloes, B. Iñiguez, "Performance Study of a Schottky Barrier Double-Gate MOSFET Using a Two-Dimensional Analytical Model", " IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 60, no. 2, pàgines 880-882, febrer 2013
  33. F. M. Yigletu, S. Khandelwal, T. A. Fjeldly i B. Iñiguez, " Models físics compactes basats en càrrega per a les capacitats actuals i en els HEMT AlGaN/GaN"< a i=4>IEEE Trans. on Electron Devices , vol. 60,núm. 11, pàgines 3746-3752, novembre de 2013.
  34. T. Holtij, M. Graef, F. Hain, A. Kloes, B. Iñiguez, "Model compacte per a MOSFET de doble porta en mode d'acumulació sense unió de canal curt" IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 61, núm. 2, pàgines 288-299, febrer 2014.
  35. Moldova, O.; Llima, F.; Iñiguez, B., A Compact Explicit Model for Long-Channel Gate-All-Around Junctionless MOSFETs. Part II: Càrregues totals i característiques de capacitat intrínseca, IEEE Trans. a Dispositius electrònics, vol.61, núm.9, pàg. 3042-46, setembre de 2014.
  36. F.Lime, O. Moldovan, B. Iñiguez, A Compact Explicit Model for Long-Channel Gate-All-Around JunctionlessMOSFETs. Part I; Característiques DC, IEEE Trans. on Electron Devices, vol.61, núm.9, pàg. 3036-41, setembre de 2014.
  37. Castro-Carranza, A., Estrada, M. ; Cerdeira, A. ; Nolasco, J.C.; Sánchez, J. ; Marsal, L.F.; Íñiguez, B. ; Pallares, J., "Model de capacitat compacta per a OTFT a freqüències baixes i mitjanes" IEEE Transaccions en dispositius electrònics, vol. 61, núm. 2, pàgines 638-642, febrer 2014
  38. O. Moldovan, A. Castro-Carranza, A. Cerdeira, M. Estrada, P. Barquinha, R. Martins, E. Fortunato, S. Miljakovic, B. Iñiguez, "A compact model i tècniques d'extracció de paràmetres directes Per a transistors de pel·lícula fina amorf galli-indi-òxid de zinc," Electrònica d'estat sòlid, vol. 126, pàgs. 81-86, desembre 2016.
  39. Graef, M; Hosenfeld, F; Horst, F; Farokhnejad, A; Hain, F; Iñiguez, B.; Kloes, A ; "Modelació analítica avançada de Túnel-FET de doble porta: una avaluació del rendiment" Electrònica d'estat sòlid, vol. 141, pàgines 31-39, març de 2018, DOI: 10.1016/j.sse.2017.11.009.
  40. F. Lime, F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, B. Iñiguez, "A compact explicit DC model for short-channel Gate-All-Around junctionless MOSFETs," Electrònica d'estat sòlid, vol. 131, pàgs. 24-29, maig 2017.
  41. Muhea, WE; Yigletu, FM; Lázaro, A.; Íñiguez, B.; "Model analític GaN HEMT per a simulacions de soroll" Semiconductor Science & Technology, vol. 32, núm. 12, pàg. 12502, desembre de 2017
  42. Muhea, WE; Yigletu, FM; Cabré-Rodon, R; Iñiguez, B; "Model analític per a l'alçada de la barrera Schottky i la tensió llindar dels HEMT AlGaN/GaN amb efecte piezoelèctric," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 65, número 3, pàgines 901-907, març de 2018. DOI: 10.1109/TED.2018.2789822.

Publicacions en revistes des del 2019

  1. Horst, F; Farokhnejad, A; Zhao, Q.-T.; Íñiguez, B.; Kloes, A; "Modelat de CC compacte basat en la física 2D de FET del túnel DG" IEEE Transactions on Electron Devices, número especial sobre "Modelado compacte per al disseny de circuits" 66(1), pàgs. 132 - 138, gener de 2019.
  2. H. Cortés-Ordóñez et al., S. Jacob, F. Mohamed, G. Ghibaudo, B. Iñiguez, "Analysis and compact modeling of gate capacitance in organic thin-film transistors", IEEE Transaccions en dispositius electrònics, 65(5), pàg. 2370-2374, 2019.
  3. H. Cortés-Ordóñez, C. Haddad, X. Mescot, K, Romanjek, G. Ghibaudo, M. Estrada, A. Cerdeira i B. Iñiguez, "Parameter extraction and compact modeling of OTFT from 150 to 350K,", Trans. on Electron Devices, vol. 67, núm. 12, pàgines 5695-5692, desembre 2020.
  4. O. Moldovan O, A. Castro-Carranza, M. Estrada, A. Cerdeira, F. Lime i B. Iñiguez, "A complete charge based model de capacitat per a TFT IGZO," IEEE Electron Device Letters, vol. 40, no. 5, pàgines 730- 733, maig 2019.
  5. A. Cerdeira, M. Estrada, Y. Hernández-Barrios, I. Hernández i B. Iñiguez, "Full capacitance model, considering the specifics of amorphous oxide semiconductor Thin Film Transistor structure," Electrònica d'estat sòlid. 156, pàgines 16 - 22 (2019).
  6. W. E. Muhea, T. Gneiting i B. Iñiguez, "Anàlisi de voltatge actual i soroll de parpelleig i modelatge unificat per a transistors de pel·lícula fina d'òxid de zinc amorf d'indi-gal·li amb capa de parada de gravat de 298 a 333 K"; J. Appl. Phys., vol. 125, núm. 14, abr. 2019, art. no. 144502
  7. W. E. Muhea, G. U. Castillo, H. C. Ordóñez, T. Gneiting, G. Ghibaudo i B. Iñiguez, "Parameter Extraction and Compact modeling of 1/f noise for amorphous ESL IGZO TFTs," IEEE Journal of the Electron Devices Society, DOI: 10.1109/JEDS.2020.2970177, gener de 2020.
  8. W. E. Muhea, K. Romanjek,, X. Mescot, C. G. Theodorou, M. Charbonneau, F. Mohamed, G. Ghibaudo i B. Iñiguez. "1/f anàlisi del soroll en OTFT basats en polímers d'alta mobilitat amb dielèctric" Appl. Phys. Lett. 114, 243301 (2019).
  9. S. Jung, Y. Bonnassieux, G. Horowitz, S. Jung, B. Iñiguez, C. H. Kim, "Advances in compact modeling of organic Field-Effect Transistors," Journal of the Electron Devices Society, vol. 8 de desembre de 2020, DOI 10.1109/JEDS.2020.3020312
  10. A. Nikolaou, G. Darbandy, J. Leise, J. Pruefer, J. W. Borchert, M. Geiger, H. Klauk, B. Iniguez, A. Kloes: Model Based Charge-Based for the Drain-Current Variability in Organic Thin-Film Transistors due a la fluctuació del número de transportista i de la mobilitat correlacionada, IEEE Trans. Dispositius electrònics, vol. 67, núm. 11, pàgines 4667-4671, setembre de 2020.
  11. Y. Hernández-Barrios, A. Cerdeira, M. Estrada, B. Iñiguez, "Analytical current-voltage model for Double-Gate a-IGZO TFTs with symmetric structure for above threshold," IEEE Trans. Sobre els dispositius electrònics, vol. 67, núm. 6, pàgines 1980-1986, maig 2020.
  12. Y. Hernández-Barrios, J. N. Gaspar-Angeles, M. Estrada, B. Iñiguez, A. Cerdeira, "Dynamic simulation of a-IGZO TFT circuits using the Analytical Full Capacitance Model (AFCM)" , IEEE Journal of the Electron Devices, Society, vol. 9, pàgines 464-468, desembre 2020.
  13. J. Prüfer, J. Leise, G. Darbandy, A. Nikolaou, H. Klauk, J. W. Borchert, B. Iniguez, T. Gneiting i A. Kloes: Compact Modeling of Short-Channel Effects in Staggered Organic Thin-Film Transistors, < /span>, vol. 67, núm. 11, pàgines 5082-5090, setembre de 2020IEEE Trans. Dispositius electrònics
  14. J. Leise, J. Pruefer, G. Darbandy, M. Seifaei, Y. Manoli, H. Klauk, U. Zschieschang, B. Iniguez i A. Kloes: Modelatge compacte basat en càrrega de capacitats en OTFTs multifinger escalonats, < /span>, vol. 8, pàgines 396-406, març de 2020IEEE Journal of the Electron Devices Society
  15. J. Leise, J. Prüfer, A. Nikolaou, G. Darbandy, H. Klauk, B. Iniguez i A. Kloes: Macro model for AC and Transient Simulations of Organic Thin-Film Transistor Circuits Includeding Nonquasistatic Effects, IEEE Trans. Dispositius electrònics, vol. 67, núm. 11, pàgines 4672-4676, setembre de 2020
  16. Li G; ventilador Z; Andre N; Xu Y; Xia Y; Iniguez B; Liao L; Flandre D. Funció de conductància de sortida no lineal per a l'anàlisi robust de transistors bidimensionals. Lletres de dispositius electrònics IEEE. 42(1), pàgs. 94 - 97, gener de 2021
  17. Yilmaz, Kerim; Darbandy, Ghader; Reimbold, Gilles; Iniguez, Benjamí; Calç, François; Kloes, Alexander;. Concepte de dimensions DG equivalent per al modelatge compacte de MOSFET GAA de canal curt i cos prim, inclòs el confinament quàntic. Transaccions IEEE en dispositius electrònics. 67(12), pàg. 5381 - 5387, desembre de 2020.
  18. Farokhnejad A, Schwarz M, Horst F, Iñíguez B, Lime F, Kloes A. Modelatge analític de capacitats en túnels-FET inclòs l'efecte dels contactes de barrera Schottky. Solid-State Electrònics. 159, pàgines 191 - 196, 2019.
  19. Hernández-Barrios, Y; Estrada, M; Paixkovich, A; Muhea, WE; Íñiguez, B; Cerdeira, A; "Models analítics IV i CV per a AOSTFT simètrics de doble porta" Ciència i amp; Tecnologia, vol. 36, núm. 7, 075024, juliol de 2021.
  20. Llima, F; Cerdeira, A; Estrada, M; Paixkovich, A; Íñiguez, B; "Modelació de capacitats de CC compactes i quasi estàtiques de TFT a-Si:H, incloses les capacitats paràsites," IEEE Trans. on Electron Devices, vol.68, núm. 7, pàgines 3384-3389, juliol de 2021.
  21. J. Pruefer, J. Leise, A. Nikolaou, JW Borchert, G. Darbandy, H. Klauk, B. Iñiguez, T. Gneiting, A. Kloes, "Compact Modeling of Nonlinear Contact Effects in Short-Channel Coplanar and Staggered Organic Thin -Transistors de pel·lícula," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 68, núm. 8, pàgines 3843-3850, agost de 2021.
  22. B. Iñiguez A. Nathan, A. Kloes, Y. Bonnassieux, K. Romanjek, M. Charbonneau, J, L. van der Steen, G. Gelinck, T. Gneiting, F. Mohamed, G. Ghibaudo, A. Cerdeira, M. Estrada, S. Mijalkovic, A. Nejim, "New Compact Modeling Solutions for Organic and Amorphous Oxide TFTs," IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 9, pàgines 911-932, setembre de 2021
  23. Yvan Bonnassieux, Christoph J. Brabec, Yong Cao, Tricia Breen Carmichael, Michael L. Chabinyc, Kwang Ting Cheng, Gyoujin Cho, Anjung Chung, Corie L. Cobb, Andreas Distler, Hans Joachim Egelhaaf, Gerd Grau, Xiaojun Guo, Ghazaleh Haghiashtiani, Tsung Ching Huang, Muhammad M. Hussain, Benjamin Iniguez, Taik Min Lee, Ling Li, Yuguang Ma, Dongge Ma, Michael C. McAlpine, Tse Nga Ng, Ronald Osterbacka*, Shrayesh N. Patel, Junbiao Peng, Huisheng Peng, Jonathan Rivnay, Leilai Shao, Daniel Steingart, Robert A. Street, Vivek Subramanian, < /span> , Yunyun Wu, "The Flexible and Printed Electronics Roadmap," Electrònica flexible i impresa, vol. 6, número 2, 023001, juny de 2021 (convidat).Luisa Torsi
  24. Pruefer, J., Leise, J., Klauk, H., Darbandy, G.; Nikolaou, A., Iñiguez, B., Gneiting, T., Kloes, A., "Modelació dels efectes de canal curt en transistors orgànics coplanars de pel·lícula fina" IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 69, núm. 3, pàgines 1099-1106, març de 2022.
  25. Yilmaz, K., Iñiguez, B. Llima, F., Kloes, A., "Temperatura criogènica i Anàlisi de dopatge del corrent de túnel de font a drenatge en MOSFET de nanofull de canal ultracurt" IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 69, núm. 3, pàgines 1588-1595, març de 2022.
  26. Roemer, C., Darbandy, G., Schwarz, M< a i=4>., Trommer, J., Heinzig, A ., Mikolajick, T., Weber, W. M., Iñiguez, B., Kloes, A., "Física- Modelatge compacte basat en CC de barrera Schottky i transistors d'efecte de camp reconfigurables" IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 10, pàgines 416-423,2022
  27. Yilmaz, K., Iñiguez, B. Llima, F., Kloes, A., "Quasi- Model compacte de corrent de túnel directe de font a drenatge en MOSFET de nanofull de canal ultracurt mitjançant Wavelet Transform" IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 69, núm. 1, pàgs. 17-24, gener de 2022.
  28. Leise, J., Pruefer, J., Darbandy, G< a i=4>., Nikolaou, A., Giorgio, M ., Caironi, M., Zschieschang, U., , vol. 130, número 12, article núm. 125501.Revista de Física Aplicada., "Flexible megahertz organic transistors and the paper crític de la geometria del dispositiu en el seu rendiment dinàmic," Borchert, J. W., Iñiguez, B., Kloes, A., Klauk, H
  29. Ell, PH; Ding, CC; Zou, XM, Li, GL; Hu, W; Ma, C;Flandre, D;Iñiguez, B; Liao, L; Lan, LF; Liu, XQ; "Estabilitat i mobilitat millorades dels transistors de pel·lícula fina d'òxid processats amb solució amb canal d'òxid d'indi incorporat en terbi de bicapa" Lletres de Física Aplicada, vol. 121, número 19, article núm. 193391, 7 de novembre de 2022.
  30. Ell, PH; Hong, RH; Li, GL; Zou, XM; Hu, W; Lan, LF; Iniguez, B; Liao, L;Liu, XQ; "Efecte de la humitat sobre les propietats dels transistors de pel·lícula fina d'òxid d'indi dopats amb Tb processats amb aigua" Lletres de dispositius electrònics IEEE, vol. 43, núm. 11, pàg. 1894-97, novembre de 2022.
  31. Y. Zhou, Y. Song, R. Hong, X. Liu, X. Zou, B. Iñiguez, D. Flandre, G. Li, L. Liao, "Electrical evolution of p-type SnOx pel·lícula i transistor dipositats per polverització de magnetrons de RF," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 70, no. 6, pàgines 310-315, juny de 2023.
  32. M. Schwarz, T. D, Vethaakm V. Derycke, A. Francheteau, B. Iñiguez, S. Kataria, A. Kloes, F. Lefloch, M. C. Lemme, J. P. Snyder, W. M. Weberm i L. Calvet, "The Schottky Barrier transistor en dispositius electrònics emergents, Nanotecnologia, vol. 34 m no. 35, 15 de juny de 2023.
  33. A. Nikolaou, J. Leise, U. Zschieschang, H. Klauk, T. Gneiting, G. Darbandy, B. Iñiguez i A. Kloes, "Model compacte per al soroll de baixa freqüència depenent del biaix en transistors orgànics de pel·lícula prima a causa del portador. fluctuacions de nombre i mobilitat," Electrònica orgànica, vol. 120, 106846, setembre de 2023.
  34. M. Koch, H. Tseng, A. Weissbach, B. Iñiguez, K. Leo, A. Kloes, H. Kleemann i G. Darbandy, "Device physics, modeling and simulation of organic electrochemical transistors, ", IEEE Journal of the Electron Devices Society, doi: 10.1109/JEDS-2023.3263278.
  35. C. Roemer, N. Dersch, G. Darbandy, M. Schwarz, Y. HanQ. -T. Zhao, B. Iñiguez, A, Kloes, "Modelació compacta de transistors de barrera Schottky a temperatures criogèniques profundes" Electrònica d'estat sòlid, vol. 207, 108686, setembre de 2023,
  36. A. Kloes, J. Leise, J. Pruefer, A. Nikolaou, B. Iñiguez, T. Gneiting, H. Klauk, G. Darbandy, "THM-OTFT: Un model compacte Verilog-A complet basat en la física per a canals curts Transistors orgànics de pel·lícula prima" IEEE Journal of the Electron Devices Society, doi: 10.1109/JEDS-2023.3294598.

Llibres i llibre Capítols

  1. B. Iñíguez, T. Fjeldly i M. S. Shur, "Thin Film Transistor Modeling", a Silicon and Beyond: Advanced Circuit Simuladors i Dispositiu Models, M.S. Shur i T.A. Fjeldly, editors, World Scientific Publishers, Singapur, 2000, 703-723.
  2. B. Iñíguez, T. Fjeldly i M. S. Shur, "SPICE Models for Novel Semiconductor Devices", a Silici i més enllà: Advanced Circuit Simulators and Device Models a>, M.S. Shur i T.A. Fjeldly, editors, World Scientific Publishers, Singapur, 2000, pàg. 725-781.
  3. B. Iñíguez, T. Ytterdal, T. A. Fjeldly i M. S. Shur, "Physics, Modeling and Simulation of Poly, Micro- and Nano-Crystalline Thin-Film Transistors", in Thin Film Transistors. Materials i processos. Volum 2: Polycrystalline Thin-Film Transistors, Kluwer Academic Publishers, 101 Philip Drive, Assinippi Park, Norwell, MA 02061, pàg. 95-141, 2004
  4. O. Moldovan i B. Iñiguez, Compact modeling of MOSFET devices, VDM Verlag, ISBN-10: 9783639148824, 2009.
  5. B. Iñiguez, F. Lime, A. Lázaro i T. A. Fjeldly, "Compact Models for Advanced CMOS Devices" a Nanoescala CMOS: Materials innovadors , Modelació i Simulació, Wiley-ISTE, pàg. 381-442, 2010.
  6. O. Moldovan, A. Lázaro, F. Danneville, R. Picos, B. Nae, B. Iñiguez, M. J. Deen, "Nanoscale FETs," pàgs. 261-347 , a , Basat en silicona Onda mil·limètrica Medida de tecnologia, Modelado i aplicacions, Avançat en imatges i física electrònica,. vol. 174, pàgines 1-483 (2012).
  7. B. Iñiguez, R. Ritzenthaler i F. Lime, "Compact Modeling of Double and Tri-Gate MOSFETs," 135004 , Especial Problema a Avançat Modelació de dispositius a escala nano , Internacional Diari de Alta Velocitat Sistemes i Systems, editat per B. Iñiguez i T. A. Fjeldly, World Scientific Publishers, vol. 22, núm. 1 de novembre de 2013.
  8. Fronteres en electrònica. Modelatge avançat de dispositius electrònics a nanoescala. Editors: B. Iñiguez i T. A. Fjeldly. Publicació Científica Mundial. ISBN:978-981-4583-19-0; 978-981-4583-18-3. ISSN: 1793-1274. 2014.
  9. R. Ritzenthaler, F. Lime i B. Iñiguez, "Compact modeling of Double- and Tri-Gate MOSFETs, " a Fronters in Electronics. Modelatge avançat de dispositius electrònics a nanoescala. World Scientific Publ, pàg. 152- 194 (2014).
  10. B. Iñiguez, Full de ruta de Electrònica flexible: Reptes i Possibles solucions, Llibre blanc de l'IRDS, 2021.
  11. B. Iñiguez, "Electrònica flexible" a "More than Moore Devices and Integration in Semiconductors," editat per F. Balestra i F. Iacopi, SpringerNature, Suïssa, 2023,

Conferències convidades en conferències internacionals .

Des del 2017:

[1] B. Iñiguez, "Modelado compacte basat en la física dels HEMT de GaN" Taller de Dispositius Semiconductors Compostos i Circuits Integrats (WOCSDICE), Las Palmas (Espanya), maig de 2017.

[2] B. Iñiguez, "Modelado i modelatge i extracció de paràmetres per a TFT d'òxids orgànics i amorfs" Reunió tècnica de l'IEEE EDS Mexico, Querétaro (Mèxic), 10 d'octubre de 2018.

[3] B. Iñiguez, "Design Oriented Modeling of TFTs for Flexible Electronics," 9a Conferència Internacional sobre CAD per a transistors TFT (CAD-TFT)," Shenzen (Xina), novembre de 2018.

[4] B. Iñiguez, H. Cortes-Ordonez, A. Cerdeira, M. Estrada, S. Jacob, C. Haddad, G. Ghibaudo i F. Mohamed, "Compact Modeling of I-V and Característiques CV en OTFT de 125K a 350K" 7è Simposi sobre materials, dispositius i processament de semiconductors orgànics del < /span>, Dallas (TX, EUA), juny de 2019235a Reunió de la Societat Electroquímica

[5] B. Iñiguez, "Schottky Barrier Devices," 3rd Simposi sobre dispositius MOS de barrera Schottky, París (França), 4 d'octubre de 2019.

[6] B. Iñiguez, "Modeling of low frequency noise in Organic and Oxide TFTs," 11th International Conference on CAD for TFT transistors (CAD-TFT)," esdeveniment virtual , novembre de 2020.

[7] B. Iñiguez, "Diàleg Xina-Europa sobre modelatge compacte TFT" 11th International Conference on CAD for TFT transistors (CAD-TFT)," esdeveniment virtual , novembre de 2020.

[8] B. Iñiguez, "Anàlisi i modelització d'OTFT i IGZO TFT de 150 a 350K," Taller virtual de MOS-AK, setembre de 202" 7è Simposi sobre Materials, dispositius i processament de semiconductors orgànics del < /span>, juny de 2021239a Reunió de la Societat Electroquímica

[10] B. Iñiguez, "Modelat compacte de transistors de pel·lícula fina (TFT) d'òxid orgànic i amorf de 150 a 350K" Minicol·loqui virtual del capítol IEEE ED Spain," 8 de juny de 2021.

[11] Benjamin Iñiguez, Harold Cortés-Ordóñez , Gérard Ghibaudo , Antonio Cerdeira , Magali Estrada, "Compact Modeling of Organic and IGZO TFTs from 150K to 350K," 5th Conferència de tecnologia i fabricació de dispositius electrònics IEEE (EDTM), Chengdu (Xina)/virtual, abril de 2021.

[12] B. Iñiguez, "Roadmap of Flexible Electronics: Challenges and Solutions," Taller sobre el futur dels dispositius i sistemes nanoelectrònics més enllà de Moore, esdeveniment satèl·lit de la conferència EUROSOI-ULIS, 31 d'agost de 2021.

[13] B. Iñiguez, "Compact Modeling Approaches for Organic and Amorphous Oxide Semiconductor TFTs," 12th International Conference on Computer-Aided Design for Thin Film Transistor Technologies (CAD-TFT 2021), setembre de 2021.

[14] B. Iñiguez, "Compact modeling of TMD FETs," 4thTaller MOS-AK d'Amèrica Llatina, Puebla (Mèxic), 3 de juliol de 2022.

[15] B. Iñiguez, H. Cortés-Ordóñez,, K. Romanjek, M. Charbonneau, G. Ghibaudo, A. Cerdeira, M. Estrada, "Modeling of Organic and IGZO TFTs from 150 to 370K," ; Conferència internacional de TFT 2022 (ITC 2022), Guildford (Regne Unit), setembre de 2022.

[16] B. Iñiguez, "Solucions de modelatge TFT compactes per a FET de semiconductors 2D" Taller CAD-TFT, 5è IEEE International Flexible Electronics Technology, San Jose CA (EUA), Auguet 2023.

[17] B. Iñiguez, "Modelado compacte de transistors de pel·lícula fina amb efectes de contacte no negligibles" Taller W6 "Transistors controlats per la font" ESSDERC 2023, Lisboa (Portugal), setembre de 2023.

Participació en projectes finançats per la Comissió europea

Projecte títol: BAYFLEX (inferència bayesiana amb flexibilitat electrònica per a aplicacions biomèdiques), Horizon-EIC-2022-PathfinderOpen, Acord de subvenció núm. 101099555.

Agència de finançament: Programa Horizon 2020. Pathfinder Open Subprograma, Comissió Europea.

Organitzacions participants: Université Paris Saclay (França), TU-Dresden (Alemanya), URV (Espanya), CEA-Liten (/França), Bit Brain Technologies (Espanya) , Institut Mines-Telecom (França).

Durada: de l'1 d'abril de 2023 al 31 d'octubre de 2026

Coordinadora: Laurie Calvet (Ecole Polytechnique). Coordinador del grup URV: Benjami Iñiguez (URV). Finançament rebut per la URV grup: 348895 euros

Projecte títol: modelatge orientat al disseny d'electrOnics flexibles (DOMINO , Acord de subvenció núm. 645760.

Agència de finançament: Comissió Europea, Programa Horizon 2020, Marie Skłodowska-Curie Research and Innovation Staff Exchange (RISE).

Organitzacions participants: URV, Ecole Polytechnique (França), Universitat de Cambridge (Regne Unit), THM (Alemanya), CEA-LITEN (França), TNO (Països Baixos), Silvaco Ltd. (Regne Unit), Infiniscale (França), AdMOS (Alemanya)

Coordinador: Benjamí Iñiguez (URV). Director Investigador de la URV equip: Benjamí Iñiguez ( URV)

Durada: de l'1 de desembre de 2014 al 30 de novembre de 2018, finançament utilitzat fins al 31 de juliol de 2019. . Import total de la subvenció del projecte: 743500 euros. URV subvenció import: 189500

Projecte títol: "SQWIRE" (" ;Cables de silicona Quantum), STREP, (Contracte núm. 257111)

Finançament Agència: Comissió Europea, 7è Programa Marc, Subprograma de Cooperació

Entitats participants Entitats: URV, Tyndall (Irlanda), Intel (Irlanda), Magwel (Bèlgica), LETI (França), SOITEC ( França), INPG (França) Durada, a partir de: 01/09/2010 a: 31/08/2013

General Coordinador: Jean-Pierre Colinge (Institut Tyndall). Coordinador del grup URV : Benjamí Iñiguez. Finançament rebut per el grup URV : 252000 euros.

Projecte títol: "COMON: Compacte< /span> ", Associació i itineraris indústria-acadèmia, (Contracte núm. 218255).XarxaModelització

Finançament Entitat: Comissió Europea. Industry Academia Partnership and Pathway (IAPP), 7è Programa Marc (FP7) (FP7-PEOPLE-2007-3-1-IAPP).

Entitats participants: URV, UCL (Bèlgica), TUC (Grècia), EPFL (Suïssa), ULP (França), UniK (Noruega), TU-Ilmenau (Alemanya) , ITE (Polamd), Infineon Technologies GmbH (Alemanya), AMS GmbH (Àustria), RFMD Ltd (Regne Unit), AdMOS GmbH (Alemanya), DOLPHIN Integration SA (França), Melexis Inc (Ucraïna), AIM-Software Inc (Noruega) ).

Durada, des de: 01/12/2008 fins a: 30/11/2012. . Coordinador General: Benjamí Iñiguez (URV)

Finançament total: 1921436 euros. Finançament rebut per el grup URV : 223809 euros.

Projecte títol: "NANOSIL", Network of Excellence, (Contracte núm. 216171). Entitat finançadora: Comissió Europea, Xarxa d'Excel·lència, 7è Programa Marc (7è PM) Entitats participants: URV, INPG (França) i 24 institucions europees més, entre les quals 6 empreses). Durada, des de: 01/01/2008 fins a:rebut per 120330 euros.:grup URV el Finançament Benjamin Iñíguez Coordinador del grup de la URV: Francis Balestra (INPG). Coordinador General:31/12/2010.

Transferència de coneixement a empreses

[1]Implementació del Dr. Iñiguez' model compacte de MOSFET SOI Fully-Depleted al simulador de circuits IsSPICE (model incorporat a la versió comercial d'ICAP/4 8.0), eina desenvolupada per Intusoft. Inc. P. O. Box 710, San Pedro, CA, (EUA).
  1. Implementació del Dr. Iñiguez' models de càrrega i corrent de substrat de transistors MOS, i del meu model de TFT poli-Si de canal curt en la versió comercial del simulador AIM-Spice (eina desenvolupada per AIM-Software Inc).
[3]Implementació de "RPI" models compactes TFT, desenvolupats conjuntament pel Dr. Iñiguez, en la versió comercial de l'imulador de circuits SmartSpice (eina desenvolupada per Silvaco International).
  1. Implementació de "RPI" models compactes TFT, desenvolupats conjuntament pel Dr. Iñiguez, en la versió comercial del simulador de circuits HSPICE (Cadence, Synopsis).
  2. Implementació de "RPI" models compactes TFT, desenvolupats conjuntament pel Dr. Iñiguez, en la versió comercial del simulador de circuits ELDO (Mentor).
[6]Model compacte per a TFT d'òxid amorf, desenvolupat pel Prof. Iñiguez' equip i incorporat a la versió comercial de SmartSpice (Silvaco Inc.), com a MOTFT
  1. Model compacte per a-Si:H TFT, desenvolupat pel Prof. Iñiguez' equip i incorporat a SmartSpice (Silvaco Inc.).
[8]Model compacte per a TFT orgànic desenvolupat pel Prof. Iñiguez' equip i implementat a la versió interna de SMASH (simulador desenvolupat per Dolphin).
  1. Model compacte per a TFT orgànic desenvolupat pel Prof. Iñiguez' equip, implementat a Verilog-A. El codi es va enviar a tots els socis de la Xarxa d'Excel·lència FlexNet FP7 per a les seves eventuals extraccions de paràmetres i treballs de disseny de circuits.
[10]Model compacte per a MOSFET de doble porta a nanoescala, desenvolupat pel Prof. Iñiguez' equip i implementat a la versió interna de SMASH (simulador desenvolupat per Dolphin).
  1. Model compacte per a MOSFET i FinFET de doble porta a nanoescala desenvolupat pel Prof. Iñiguez' equip, implementat a Verilog-A. El codi es va enviar als socis del projecte FP7 COMON per a les seves eventuals extraccions de paràmetres i treballs de disseny de circuits.
  2. Model compacte per a HEMT GaN, desenvolupat conjuntament pel Prof. Iñiguez' equip, implementat a Verilog-A El codi es va presentar al Compact Modeling Council Call for a Standard GaN HEMT model i el 2018 finalment va ser seleccionat com a model estàndard (anomenat ASM) per CMC i recomanat a la indústria.
  3. Model compacte per a TFT d'òxid amorf de doble porta, desenvolupat pel Prof. Iñiguez' equip i incorporat a SmartSpice (Silvaco Inc.).

Membre del Consell Assessor de projectes finançats per la Comissió Europea

Projecte títol: ASCENT. Accés a la Xarxa Europea de Nanoelectrònica , Acord de subvenció núm. 654384.

Agència de finançament: Programa Horizon 2020. Subprograma INFRAIA, Comissió Europea.

Organitzacions participants: Tyndall Institute-University College Cork (Irlanda, coordinador), IMEC (Bèlgica), CEA-LETI (França). Ttipus de participació: Benjamí Iñiguez (URV) va ser un dels membres del Consell Assessor Internacional d'ASCENT. Durada: de l'1 de maig de 2015 al 30 d'abril de 2019. Import total de la subvenció del projecte: 4698623 euros
Projecte títol: ASCENT+. Xarxa Europea de Nanoelectrònica , Acord de subvenció núm. 654384.

Agència de finançament: Programa Horizon 2020. Subprograma INFRAIA, Comissió Europea.

Organitzacions participants: Tyndall Institute-University College Cork (Irlanda, coordinador), IMEC (Bèlgica), CEA-LETI (França), Fraunhofer Institute (Alemanya), LIN (Portugal). ), SINANO Institute (França), MIDAS Ltd. (Irlanda), DSP Valley VZW (Bèlgica), Minalogic (França), Silicon Saxony EV (Alemanya), Universitat de Pàdua (Itàlia), Universitat de Gant (Bèlgica), CNRS ( França), TU-Freiberg (Alemanya). Tipus de participació: Benjamí Iñiguez (URV) és un dels membres del Consell Assessor Internacional d'ASCENT+. Durada: de l'1 de setembre de 2020 al 31 d'agost de 2024. < a i=9>Import total de la subvenció del projecte: 9853821 euros

Projectes finançats per empreses privades

Títol del projecte: "Modeling of Amorphous Oxide Semiconductor TFTs", T12129S. Finançament a> : Silvaco Co. (Santa Clara CA, EUA)Empresa

Entitats participants: URV, Silvaco Durada, de: 01/06/2012 a Finançament rebut : 22000 euros Benjamí Iñíguez (URV): Líder del projecte/2013 31/12

Títol del projecte: "Model TFT SPICE". T15130S Companyia de finançament: Silvaco Inc. (EUA).

Entitats participants Entitats: URV, Silvaco Durada: 19/02/2016-18/08/2017.

Project leader: Benjamí Iñiguez (URV). Participants: URV, Silvaco Inc.

Finançament atorgat: 22.000 euros.

Títol del el projecte: "Double Gate Model TFT SPICE". Empresa finançadora: Silvaco Inc. (EUA).

Entitats participants Entitats: URV, Silvaco Durada: 01/07/2018-30/06/2019.

Projecte líder: Benjamí Iñiguez (URV). Participants: URV, Silvaco Inc.

Finançament atorgat: 18.000 euros.

Tireja Tesi doctoral Tesi

1) Hamdy M. Abd-El-Hamid, "Modelat compacte de MOSFET de porta múltiple" maig de 2007
  1. Oana Moldovan, " Models compactes dels circuits equivalents de senyal petit dels MOSFET MG," maig de 2008.
3) Michaela Weidemann, "Models predictius 2-D i 3-D de MOSFET de porta múltiple." Febrer 2010. Responsable: Benjamin Iñiguez (URV). Co-supervisor: Alexander Kloes (Fh. Giessen, Alemanya).
  1. Mike Schwarz, "Modelació predictiva analítica bidimensional de SOI de barrera Schottky i MOSFET multigates" Octubre 2012. Responsable: Benjamin Iñiguez (URV). Co-supervisor: Alexander Kloes (Fh. Giessen, Alemanya).
5) Ghader Darbandy, "Modelació compacta del corrent de fuga del túnel de la porta en MOSFET SOI a nanoescala avançada", Novembre 2012. Responsable: Benjamin Iñiguez.
  1. Alejandra Castro-Carranza. "UMEM-based capacitance model for organic field effect transistors: development and implementation," February 2013. Supervisor: Josep Pallarès (URV). Co-supèrvisor: Benjamin Iñiguez (URV)
7) Muthupandian Cheralathan, "Modelado compacte per a MOSFET multi-porta que utilitzen models de transport avançats" Febrer 2013. Responsable: Benjamin Iñiguez.
  1. Thomas Holtij, "Modelació analítica 2D de MOSFET multi-porta basats en unions i sense unió a nanoescala". Defensa: setembre 2014, Supervisor: Benjamin Iñiguez (URV). Co-supervisor: Alexander Kloes (Fh. Giessen, Alemanya).
9) Fetene M. Yigletu, "Modelat compacte basat en la física de HEMT per a la simulació de circuits." Defensa: setembre 2014, Supervisor: Benjamin Iñiguez (URV).
  1. Michael Gräf, "Modelació analítica bidimensional dels FET de túnels". Supervisors: Benjamin Iñiguez i Alexander Kloes (THM, Alemanya). Data de la defensa: 5 de juliol de 2017.
  2. Fabian Hosenfeld, "Modelació analítica basada en NEGF de MOSFET avançats" Supervisors: Benjamin Iñiguez, François Lime i Alexander Kloes (THM, Alemanya). Data de la defensa: 12 de desembre de 2017.

Des del 2019:

  1. Wondwosen E. Muhea, "Caracterització i modelatge compacte del soroll de parpelleig i efecte piezoelèctric en transistors d'efecte de camp avançat". Defensa: 8 de juliol de 2019.
  2. Fabian Horst, "Modelat DC compacte de FET de túnels" Defensa: 29 de novembre de 2019. Supervisors: Benjamin Iñiguez (URV), Alexander Kloes (THM, Alemanya).
  3. Atieh Farokhneyad, "Modelació analítica de CA del canal intrínsec en túnels-FET" Defensa: 16 de juliol de 2020. Supervisors: François Lime (URV), Benjamin Iñiguez (URV), Alehander Kloe (THM, Alemanya).
  4. Harold Cortés-Ordóñez, "Anàlisi del comportament físic i modelatge compacte depenent de la temperatura en TFT orgànics i IGZO". Defensa: 31 de juliol de 2020. Supervisor: Benjamin Iñiguez (URV)
  5. Jakob Prüfer, " Compact DC Modeling of Short-Channel Effects in Organic Thin-Film Transistors,"Defence: February 28 2022. Supervisors: Benjamin Iñiguez (URV), Alexander Kloes (THM, Germany).
  6. Jakob Leise, "Charge-Based Compact Modeling of Capacitances and Low-Frequency Noise in OTFTs,"Defence: April 26 2022. Supervisors: Benjamin Iñiguez (URV), Alexander Kloes (THM, Germany).
  7. Aristeidis Nikolaou, "Modelació compacta de la variabilitat en el transistor orgànic de pel·lícula prima". " Defensa: 10 d'octubre de 2023. Supervisors: Benjamin Iñiguez (URV), Alexander Kloes (THM, Alemanya).

Organitzar activitats en conferències i entrenament esdeveniments

Des del 2018

  1. President general de ESSRC 2026 (abans ESSDERC-ESSCIRC), Palma (Espanya), setembre de 2026 (aprovat)
  2. Presidència general de la Conferència EUROSOI-ULIS, Tarragona (Espanya), maig de 2023.
  3. President general de la 10a Conferència CAD-TFT, Tarragona, 9-10 de juliol de 2019.
  4. Càtedra general de l'escola SINANO Modelisme Estiu Escola< /span>, Tarragona, 25-28 de setembre de 2018
  5. Presidència del Minicol·loqui IEEE EDS Espanya, Tarragona (Espanya) 24 de maig de 2019
  6. Presidència del Minicol·loqui EDS sobre TFT i electrònica flexible, Tarragona, 11/07/2019.
  7. Presidència del Minicol·loqui virtual IEEE EDS sobre fotònica i fotovoltaica, 31 de juliol de 2020.
  8. President del Minicol·loqui virtual IEEE EDS sobre modelatge compacte, 17 de desembre de 2020.
  9. Presidència del Mini-Col·loqui virtual IEEE ED Spain Chapter, 8 de juny de 2021
  10. President del Mini-Col·loqui IEEE EDS sobre TFT per a tecnologies emergents, 2 de setembre de 2021.
  11. Presidència del IEEE EDS Mini-Col·loqui sobre modelatge CAD/EDA, Tarragona, 28 de juny -29 2022.
  12. Presidència del Curs de perfeccionament d'IEEE EDS sobre electrònica flexible i orgànica," Tarragona, 24-25 de novembre de 2022.
  13. Presidència del IEEE EDS Mini-Col·loqui "75thAniversari del Transistor",Tarragona, 26 de gener de 2023.
  14. Copresidenta del 5è Simposi (virtual) sobre dispositius Schottky Barrier MOS, 30 de juny de 2021.
  15. Copresidenta del Taller anual del MOS-AK d'Amèrica Llatina, Armènia (Colòmbia), (2019-22).
  16. Copresidenta del 7è Jornada G03 (Materials orgànics, dispositius i processament) del 235a Reunió de la Societat Electroquímica, Dallas (TX, EUA), maig de 2019
  17. Càtedra del 8è Jornada G03 (Matèries, aparells i processament orgànics) del 239 aReunió de la Societat Electroquímica, del 2 al 3 de juny de 2021.
  18. Càtedra del 9è Jimposi G03 (Matèries, aparells i processament orgànics) del 239 aReunió de la Societat Electroquímica, del 26 al 30 de maig de 2024.

Activitats anteriors.

  1. Càtedra general del Taller de Flexible Electrònica< /span> , Tarragona (Espanya), 29 de juny de 2016(WFE)
  2. Càtedra General del Taller d'EUROSOI , Tarragona (Espanya), 27-29 de gener de 2014< /span>
  3. Presidència general de la 8th International Conference on Organic Electronics (ICOE), Tarragona, 25-27/06/2012.
  4. Càtedra general del 4t Curs de Formació sobre< /span>, 30/06/2010-01 /07/2010., Tarragona1r Curs de Formació sobre Modelatge Compacte, 28-29/06/2012, 2n Curs de Formació sobre Modelatge Compacte , 27-28 de juny de 2016, ModeladoCompacte

Premis i Honors

1)ICREA Academia Prize from ICREA (Catalan Institute for Advanced Research, Generalitat de Catalunya), January 2009

  1. Guardonat amb la Distinció de la Generalitat de Catalunya per al Foment de la Recerca Universitària, en la categoria d'investigadors júniors, juliol de 2004.
3) Dos premis Premium de la Institució d'Enginyeria i Tecnologia (IET) per a treballs de recerca, publicats a Actes IEE: Circuits, Devices and Systems:
4) Beca per a la Intensificació de les Activitats de Recerca de la URV (finançada per la URV, Ministeri de Ciència i Generalitat de Catalunya), l'any 2008
5) Va obtenir el títol de membre sènior de l'IEEE (núm. de membre 40189017), l'any 2003.
  1. Professor distingit de la IEEE Electron Device Society, des de 2004
  2. Premi ICREA Academia 2013. Obtingut el gener de 2014 per un període de 5 anys, amb un import de 100.000 euros per a la recerca.
  3. Reconeixement a l'Excel·lència Investigadora per al període 2005-2016 pel Ministeri de Ciència i Innovació (MICINN) i per la Generalitat de Catalunya (4 avaluacions positives)

.

Premis i honors des de 2019:

  1. Fellow d'IEEE, "per a contribucions a models compactes basats en la física de semiconductors de dispositius semiconductors", 2019. 
  2. Va ser elegit membre de la Junta General de Govern d'IEEE EDS el desembre de 2017 i desembre de 2020
  3. Reconeixement a l'excel·lència investigadora per al període 2016-2022 pel Ministeri de Ciència i Innovació (MICINN) i per la Generalitat de Catalunya
  4. Reconeixement a l'Excel·lència en Transferència de Coneixement per al període 2013-2018, pel Ministeri de Ciència espanyol.
  5. Com a president de l'IEEE EDS,Spain Chapter, "EDS Chapter of the Year" Premi de l'EDS l'any 2021 i IEEE R8 Chapter of the Year 2023, categoria Medium Chapters.
  6. Subvenció de l'IEEE EDS per a un projecte de col·laboració amb l'Institut Tecnològic d'Addis Abeba (Etiòpia), 18500 euros, 2023.
  7. Subvenció d'IEEE EDS per organitzar un curs de millora d'electrònica orgànica i flexible, 9000 USD, 2022.
  8. President del Comitè d'Electrònica Flexible/Wearable per al Full de Ruta Internacional per a Dispositius i Sistemes de More than Moore (2020-).

Pujar