Benjamin Iñiguez
Biografia:
Benjamin Iñiguez va obtenir el doctorat en Física els anys 1992 i 1996, respectivament, per la Universitat de les Illes Balears (UIB). La seva tesi doctoral es va orientar al modelatge de MOSFET submicrons. Des de febrer de 1997 fins a setembre de 1998 va estar treballant com a investigador postdoctoral al Rensselaer Polytecnhnic Institute de Troy (NY, EUA), on va abordar la física i el modelatge de TFT a-Si:H i poly-Si. Des de setembre de 1998 fins a gener de 2001, va estar treballant com a científic postdoctoral a la Universitat Catòlica de Lovaina (Louvain-la-Neuve, Bèlgica), amb el suport de dues beques Marie Curie de la Comissió Europea, i orientat a la física i el modelatge de SOI de pel·lícula prima. MOSFET. El febrer de 2001 es va incorporar al Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i de Control Automàtic (DEEEiA) de la Universitat Rovira i Virgili (URV), a Tarragona, Catalunya, Espanya) com a Professor Titular. El febrer de 2010 va esdevenir Professor Titular de la URV. Va obtenir la Distinció de la Generalitat per al Foment de la Recerca Universitària l'any 2004 i el Premi ICREA Academia (el màxim guardó per a professors universitaris de Catalunya, de l'Institut ICREA) els anys 2009 i 2014. Va dirigir dos projectes de recerca finançats per la Unió Europea ( UE) i ha participat o està participant com a líder de l'equip de la URV en cinc projectes més finançats per la UE. Ha dirigit o cotutela 19 estudiants de doctorat. Ha presidit cinc conferències i tallers internacionals dedicats als dispositius avançats de semiconductors, així com cinc cursos internacionals de formació o escoles d'estiu sobre modelatge de dispositius.
És EDS Distinguished Lecturer des de 2004, Editor de IEEE T-ED des de l'agost de 2016. El 2019 va ser elegit IEEE Fellow. El 2024 va ser nomenat vicepresident d'EDS del Subcomitè de Regions i Capítols. També va ser President del Consell Tècnic de Modelització Compacta d'EDS (2017-2020), Membre General del BoG d'EDS des de (2018-2022) i President del Chapter ED d'Espanya (2019-2022), i President de l'EDS Region 8 SRC ( 2023).
Els seus principals interessos d'investigació són la caracterització, l'extracció de paràmetres i la modelització compacta de dispositius semiconductors emergents, en particular els MOSFET multigates a escala nanomètrica GaN HEMTs, transistors de pel·lícula prima orgànica i d'òxid i sensors electroquímics orgànics. Diversos dels models que va ser autor o coautor estan disponibles en moltes eines comercials d'automatització de disseny electrònic (EDA), en particular els models TFT. És un dels autors del model ASM GaN HEMT, seleccionat com a estàndard per la Compact Modeling Coalition el 2017. Ha publicat més de 190 articles de recerca en revistes internacionals i més de 180 resums en actes de congressos.
Des de maig de 2024, també és el responsable acadèmic a la URV del Màster interuniversitari en Enginyeria de Disseny de Semiconductors i Disseny Microelectrònic.
François Lime
François Lime va obtenir el màster i doctorat de l'Institut National Polytechnique de Grenoble,
Grenoble, França, el 2000 i el 2004, respectivament. Des de llavors fins al desembre del 2008,
va treballar com a Investigador Associat Postdoctoral a la Universitat Rovira I Virgili, Tarragona
(URV), Espanya ia l'Institut de Microelèctrica, Electromagnetisme et Photonique (IMEP-LAHC),
Grenoble, França. El gener del 2009 es va incorporar a la URV com a investigador Ramon i
Cajal, i actualment és professor agregat Serra Hunter des del 2014.
Les seves activitats de recerca anteriors es referien a la caracterització elèctrica i el modelatge
de dispositius amb un dielèctric de comporta d'alta permitivitat i dispositius de silici tensat. Els
seus interessos de recerca actuals són el modelat compacte de dispositius electrònics,
especialment MOSFET i OTFT de comportes múltiples, així com la caracterització elèctrica
d'aquests dispositius.
Nadine Dersch
Nadine Dersch va rebre la llicenciatura en enginyeria i el màster en ciències a la Technische Hochschule Mittelhessen (THM, Universitat de Ciències Aplicades) Campus Giessen, Alemanya, l'octubre de 2021 i el març de 2023. A partir de juny de 2022, va començar el seu treball en nanoelectrònica/dispositiu. Grup de modelatge al THM i inicialment es va ocupar del modelatge compacte de transistors de pel·lícula prima de semiconductors d'òxid amorf (AOS-TFT). Posteriorment, com a part de la tesi de màster, es va tractar el tema de la simulació eficient de circuits d'una matriu de barres transversals memristives amb variabilitat de pes sinàptic. El focus es va centrar en la consideració de la memòria d'accés aleatori resistiu (RRAM).
Des d'octubre de 2023 està cursant el seu doctorat a la Universitat Rovira i Virgili. El seu treball se centra en el desenvolupament d'enfocaments de modelització basats en la física per a memristors, en particular pel que fa al comportament de commutació estocàstica, i la seva implementació en xarxes neuronals artificials basades en maquinari.
Eufamer CarabaliFa vint-i-tres anys vaig arribar a Espanya des de Colòmbia i em vaig instal·lar a Cambrils, on vaig formar la meva família i vaig començar la meva carrera com a tècnic electromecànic industrial. Amb el temps, vaig convalidar els meus estudis d'enginyeria tècnica en electrònica industrial; després de cursar 60 crèdits ECTS a l'Escola d'Enginyers Tècnics Industrials de Barcelona (EUTIB) adscrita a la UPC. Posteriorment, vaig continuar estudiant un màster en prevenció de riscos laborals a la Universitat Rovira i Virgili, que vaig cursar l'any 2013. Posteriorment, vaig cursar un altre màster en enginyeria i tecnologia de sistemes electrònics amb accés a un doctorat, a la URV. Finalment, l'any 2020 vaig començar els meus estudis de doctorat a la Universitat Rovira i Virgili, que actualment estic realitzant a temps parcial mentre treballo com a tècnic superior de prevenció de riscos laborals a Veolia Serveis Catalunya, ubicat a la Zona Franca del Parc Logístic de Barcelona.
Ermias Hasun Teka
Ermias Telahun Teka va obtenir la seva Llicenciatura en Enginyeria Elèctrica (Electrònica) (2015) per la Universitat d'Addis Abeba (AAU), Addis Abeba, Etiòpia i el seu Màster en Enginyeria Microelectrònica (2020) per AAU. Ha treballat com a professor ajudant d'agost de 2015 a desembre de 2020 i com a professor des de desembre de 2020 a agost de 2023 a la Universitat d'Addis Abeba. Actualment està cursant el seu doctorat a la URV sobre Modelització de dispositius neuromòrfics orgànics per a aplicacions biomèdiques.
Ahmed Mounir
Ahmed Mounir és actualment investigador doctor a la Universitat Rovira i Virgili de Tarragona, Espanya. El seu treball se centra en el desenvolupament de models compactes per a transistors d'efecte de camp (FET) MoS2, col·laborant amb Intel i TU Wien. Durant el seu doctorat, Ahmed va completar una estada de recerca a l'Institut de Microelectrònica de TU Wien, ampliant la seva experiència en tecnologia de semiconductors. Abans del seu doctorat, Ahmed va obtenir un màster en Enginyeria en Nanotecnologia de l'Acadèmia Àrab de Ciència i Tecnologia d'Egipte. Aquest màster va ser finançat pel projecte TEMPUS de la Unió Europea, cosa que subratlla el seu compromís per avançar en el modelatge de dispositius semiconductors. El seu interès de recerca és el modelatge de dispositius semiconductors.