Universitat Rovira i Virgili
Campus de Excelencia Internacional Cataluña Sur
GRUPO DE INVESTIGACIÓN NEPHOS

PUBLICACIONES

Publicaciones: Artículos en Revistas Internacionales .

157 publicaciones en revistas internacionales hasta 2019. Muestra de los artículos y publicaciones más relevantes desde 2019:

  1. Dispositivos ElectronenTransaccionesIEEE
  2. , vol. 43, núm. 4, págs., 568-575, abril de 1996Transacciones IEEE en dispositivos electrónicos
  3. , vol. 40, núm. 1, págs. 87-94, enero de 1997Electrónica de estado sólido" ,
  4. , vol. 46, núm. 6, págs. 1146-1158, junio de 1999.DispositivosElectronTransmisión IEEE. en
  5. 43, págs. 1821-1831, octubre de 1999.Electrónica,Estado sólido
  6. vol. 46, núm. 12, págs. 2295-2303, diciembre de 1999.Transacciones IEEE en dispositivos electrónicos, ∞ de base física para pMOSFET SOI en modo de acumulación", " C
  7. vol. 47, núm. 2, págs. 387-397, febrero de 2000. Dispositivos, ElectrónActivadoTrans.IEEE
  8. , vol. 48, núm. 9, págs. 1981-1988, septiembre de 2001.IEEE Trans en dispositivos electrónicos
  9. , vol. 49, núm. 7, págs. 1289-1295, julio de 2002.IEEE Trans en dispositivos electrónicos
  10. , vol. 25, núm. 5, págs. 314-316, mayo de 2004.LetrasDispositivoElectrónIEEE
  11. D. Jiménez, B. Iñíguez, J. Suñé, L. F. Marsal, J. Pallarés, J. Roig y D. Flores, " Continuous analytic I-V modelo para surrounding-gate MOSFETs," IEEE Electron Device Letters, vol. 25, no. 8, pp. 571-573, August 2004.
  12. , vol 53, no. 9, págs. 2128-2142, septiembre de 2006 (artículo invitado)Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos
  13. , vol. 54, núm. 1, págs. 162-165, enero de 2007.Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos
  14. , vol. 54, núm. 7 de julio de 2007.Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos
  15. , vol. 52, núm. 6, págs. 1402-1408, junio de 2007Transacción IEEE en dispositivos electrónicos
  16. , vol. 52, núm. 3, págs. 414-422, marzo de 2007Transacción IEEE en dispositivos electrónicos
  17. , vol. 54, núm. 9 de septiembre de 2007.en dispositivos electrónicosTransmisión IEEE
  18. Volumen 52, nº 3, págs. 400-405, marzo de 2008.TFTConferencia internacionalElectrónica de estado sólido: Número especial de la
  19. , vol. 52, número 5, mayo de 2008, páginas 787-794Electrónica de Estado Sólido
  20. vol. 55, núm. 6, págs. 1441-1448, junio de 2008Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos,
  21. vol. 55, núm. 10, págs. 2678-2686, octubre de 2008 Dispositivos,ElectrónenTrans.IEEE
  22. , vol.105, no 7, 074505, 2009.Revista de Física Aplicada
  23. ics, vol. 12, núm. 6, págs. 936 -949, junio de 2010.ElectrónicaOrgánica
  24. , vol. 58, núm. 8, págs. 2628-2637, agosto de 2011.Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos
  25. Cheralathan, M.; Iannaccone, G.; Sangiorgi, E.; Iniguez, B., "Modelo analítico de corriente de drenaje que reproduce modelos de transporte avanzados en MOSFET de puerta circundante cilíndrica (SRG) a nanoescala" Revista de Física Aplicada , vol. 110, núm. 3, número de artículo 034510, marzo de 2011.
  26. Klimenko, OA.; Knap, W.; Íñiguez, B.; Coquillat, D.; Mitiagin, YA.; Teppe, F.; Dyakonova, N.; Videlier, H.; Pero, D.; Lima, F.; Marczewski, J.; Kucharski, K., "Mejora de la temperatura de la capacidad de respuesta de terahercios de los transistores de efecto de campo de plasma", 2003; Revista de Física Aplicada , vol. 112, núm. 1, número de artículo 014506, 2012.
  27. Castro Carranza, A.; Nolasco, JC; Estrada, M.; Gwoziecki, R.; Benwadih, M.; Xu, Y.; Cerdeira, A.; Marsal, LF; Ghibaudo, G.; Íñiguez, B.; Pallares, J., "Efecto de la densidad de estados sobre la movilidad en transistores orgánicos de película delgada de tipo n de molécula pequeña basados ​​en una diimida de perileno", 2003; Cartas de dispositivos electrónicos IEEE, vol. 33, núm. 8, págs. 1201-1203, agosto de 2012.
  28. , vol. 101, núm. 10, págs. 103505-1 -3 (2012)Cartas de física aplicadaModelado analítico de la altura de la barrera de la superficie desnuda y la densidad de carga en heteroestructuras de AlGaN/GaN". , "
  29. , vol. 60, núm. 2, págs. 880-882, febrero de 2013.Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos
  30. , vol. 60, núm. 2, págs. 880-882, febrero de 2013Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos
  31. , vol. 60, núm. 2, págs. 880-882, febrero de 2013Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos
  32. , vol. 60, núm. 2, págs. 880-882, febrero de 2013Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos
  33. núm. 11, págs. 3746-3752, noviembre de 2013., vol. 60,en HEMT de AlGaN/GaN"para capacitancias de corriente y Modelos físicos compactos basados ​​en carga
  34. T. Holtij, M. Graef, F. Hain, A. Kloes, B. Iñiguez, "Modelo compacto para MOSFET de doble puerta en modo de acumulación sin uniones de canal corto", 2003; Traducción IEEE. sobre dispositivos electrónicos, vol. 61, núm. 2, págs. 288-299, febrero de 2014.
  35. Moldavo, O.; Lima, F.; Iñiguez, B., Un modelo explícito compacto para MOSFET sin conexiones de puerta de canal largo. Parte II: Cargas totales y características de capacitancia intrínseca, IEEE Trans. sobre Dispositivos electrónicos, vol.61, no.9, págs. 3042-46, septiembre de 2014
  36. F.Lime, O. Moldovan, B. Iñiguez, Un modelo explícito compacto para MOSFET sin conexiones de puerta de canal largo. Parte I; Características de CC, IEEE Trans. sobre dispositivos electrónicos, vol.61, no.9, págs. 3036-41, septiembre de 2014
  37. Castro-Carranza, A., Estrada, M. ; Cerdeira, A.; Nolasco, JC; Sánchez, J.; Marsal, LF; Íñiguez, B. ; Pallares, J., "Modelo de capacitancia compacto para OTFT en frecuencias bajas y medias", 2001; IEEE Transacciones en dispositivos electrónicos, vol. 61, núm. 2, págs. 638-642, febrero de 2014
  38. , vol. 126, págs. 81-86, diciembre de 2016.Electrónica de estado sólido" galio-indio-óxido de zincUn modelo compacto y técnicas de extracción directa de parámetros para transistores de película delgada amorfos
  39. Graef, M; Hosenfeld, F; Horst, F; Farokhnejad, A; Hain, F; Iñiguez, B.; Kloes, A ; "Modelado analítico avanzado de túneles-FET de doble puerta: una evaluación del desempeño" Electrónica de estado sólido, vol. 141, págs. 31-39, marzo de 2018, DOI: 10.1016/j.sse.2017.11.009.
  40. , vol. 131, págs. 24-29, mayo de 2017.Electrónica de estado sólido
  41. Muhea, NOSOTROS; Yigletu, FM; Lázaro, A.; Íñiguez, B.; "Modelo analítico GaN HEMT para simulaciones de ruido" Ciencia de los semiconductores & Tecnología, vol. 32, núm. 12, págs. 12502, diciembre de 2017
  42. Muhea, NOSOTROS; Yigletu, FM; Cabré-Rodon, R; Iñiguez, B; "Modelo analítico para la altura de la barrera Schottky y el voltaje umbral de HEMT de AlGaN/GaN con efecto piezoeléctrico," Transacciones IEEE en dispositivos Electron , vol. 65, número 3, págs. 901-907, marzo de 2018. DOI: 10.1109/TED.2018.2789822

Publicaciones en revistas desde 2019

  1. Horst, F; Farokhnejad, A; Zhao, Q.-T.; Íñiguez, B.; Kloes, A; "Modelado de CC compacto basado en física 2D de FET de túnel DG" IEEE Transactions on Electron Devices, número especial sobre "Modelado compacto para diseño de circuitos", 66(1), págs. 132 - 138, enero de 2019.
  2. , 65(5), págs. 2370-2374, 2019.IEEE Transacciones en dispositivos electrónicos
  3. , vol. 67, núm. 12, páginas 5695-5692, diciembre de 2020.Trans. sobre dispositivos electrónicos
  4. , vol. 40, núm. 5, págs. 730-733, mayo de 2019 IEEE Electron Device Letters"Una carga completa basada modelo de capacitancia para IGZO TFT, ",
  5. . 156, págs. 16 - 22 (2019). Electrónica de estado sólido
  6. ., vol. 125, núm. 14 de abril de 2019, art. No. 144502J. Aplica. Física
  7. , enero de 2020.10.1109/JEDS.2020.2970177, DOI: IEEE Journal of the Electron Devices Society
  8. . 114, 243301 (2019)Aplic. Física. Vamos análisis de ruido en OTFT basados ​​en polímeros de alta movilidad con dieléctrico", " f
  9. 10.1109/JEDS.2020.3020312 , vol. 8 de diciembre de 2020, DOI Revista de la Sociedad de Dispositivos Electrónicos
  10. , vol. 67, núm. 11, págs. 4667-4671, septiembre de 2020.IEEE Trans. Dispositivos electrónicos
  11. Y. Hernández-Barrios, A. Cerdeira, M. Estrada, B. Iñiguez, "Modelo analítico de corriente-voltaje para TFT a-IGZO de doble puerta con estructura simétrica para umbrales superiores". Traducción IEEE. Sobre dispositivos electrónicos, vol. 67, núm. 6, págs. 1980-1986, mayo de 2020.
  12. vol. 9, págs. 464-468, diciembre de 2020.Sociedad, IEEE Journal of the Electron Devices,
  13. , vol. 67, núm. 11, págs. 5082-5090, septiembre de 2020Trans. IEEE. Dispositivos electrónicos
  14. , vol. 8, págs. 396-406, marzo de 2020Revista IEEE de la Sociedad de Dispositivos Electrónicos
  15. , vol. 67, núm. 11, págs. 4672-4676, septiembre de 2020, IEEE Trans. Dispositivos electrónicos
  16. Li G; ventilador Z; André N; XuY; Xia Y; Íñiguez B; Liao L; Flandre D. Función de conductancia de salida no lineal para un análisis robusto de transistores bidimensionales. Letras de dispositivos electrónicos IEEE. 42(1), págs. 94 - 97, enero de 2021
  17. Yilmaz, Kerim; Darbandy, Ghader; Reimbold, Gilles; Íñiguez, Benjamín; Lima, Francois; Kloes, Alejandro;. Concepto de dimensiones DG equivalentes para el modelado compacto de MOSFET GAA de cuerpo delgado y de canal corto, incluido el confinamiento cuántico. Transacciones IEEE en dispositivos electrónicos. 67(12), págs. 5381 - 5387, diciembre de 2020.
  18. Farokhnejad A, Schwarz M, Horst F, Iñíguez B, Lime F, Kloes A. Modelado analítico de capacitancias en túneles FET, incluido el efecto de los contactos de barrera Schottky. Electrónica de estado sólidorónica. 159, págs. 191 - 196, 2019.
  19. Hernández Barrios, Y; Estrada, M; Pashkovich, A; Muhea, NOSOTROS; Íñiguez, B; Cerdeira, A; "Modelos analíticos I-V y C-V para AOSTFT simétricos de doble puerta". Ciencia y tecnología de semiconductores Tecnología, vol. 36, núm. 7, 075024, julio de 2021.
  20. Lima, F; Cerdeira, A; Estrada, M; Pashkovich, A; Íñiguez, B; "Modelado compacto de capacitancias cuasiestáticas y de CC de TFT a-Si:H, incluidas capacitancias parásitas" Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos, vol.68, núm. 7, págs. 3384-3389, julio de 2021.
  21. , vol. 68, núm. 8, págs. 3843-3850, agosto de 2021.Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos
  22. , vol. 9, págs. 911-932, septiembre de 2021Revista IEEE de la Sociedad de Dispositivos Electrónicos
  23. Yvan Bonnassieux, Christoph J. Brabec, Yong Cao, Tricia Breen Carmichael, Michael L. Chabinyc, Kwang Ting Cheng, Gyoujin Cho, Anjung Chung, Corie L. Cobb, Andreas Distler, Hans Joachim Egelhaaf, Gerd Grau, Xiaojun Guo, Ghazaleh Haghiashtiani, Tsung Ching Huang, Muhammad M. Hussain, Benjamin Iniguez, Taik Min Lee, Ling Li, Yuguang Ma, Dongge Ma, Michael C. McAlpine, Tse Nga Ng, Ronald Osterbacka*, Shrayesh N. Patel, Junbiao Peng, Huisheng Peng, Jonathan Rivnay, Leilai Shao, Daniel Steingart, Robert A. Street, Vivek Subramanian, < /span> , Yunyun Wu, "La hoja de ruta de la electrónica flexible e impresa" Electrónica flexible e impresa, vol. 6, número 2, 023001, junio de 2021 (invitado).Luisa Torsi
  24. Pruefer, J., Leise, J., Klauk, H., Darbandy, G.; Nikolaou, A., Iñiguez, B., Gneiting, T., Kloes, A., "Modelado de los efectos de canal corto en transistores orgánicos coplanares de película delgada”, Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos, vol. 69, núm. 3, págs. 1099-1106, marzo de 2022.
  25. Yilmaz, K., Iñiguez, B. Lime, F., Kloes, A., "Temperatura criogénica y análisis de dopaje de la corriente de túnel de fuente a drenaje en MOSFET de nanohojas de canal ultracorto". Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos, vol. 69, núm. 3, págs. 1588-1595, marzo de 2022.
  26. Roemer, C., Darbandy, G., Schwarz, M< a i=4>., Trommer, J., Heinzig, A ., Mikolajick, T., Weber, W. M., Iñiguez, B., Kloes, A., "Física- Modelado compacto de CC basado en barrera Schottky y transistores de efecto de campo reconfigurables". Revista IEEE de la Sociedad de Dispositivos Electrónicos, vol. 10, págs. 416-423,2022
  27. Yilmaz, K., Iñiguez, B. Lime, F., Kloes, A., "Cuasi- Modelo compacto de corriente de túnel directa de fuente a drenaje en MOSFET de nanohojas de canal ultracorto mediante transformada Wavelet". Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos, vol. 69, núm. 1, págs. 17-24, enero de 2022.
  28. Leise, J., Pruefer, J., Darbandy, G< a i=4>., Nikolaou, A., Giorgio, M ., Caironi, M., Zschieschang, U., , vol. 130, número 12, artículo núm. 125501.Revista de Física Aplicada., "Transistores orgánicos flexibles en megahercios y el papel crítico de la geometría del dispositivo en su rendimiento dinámico". Borchert, J. W., Iñiguez, B., Kloes, A., Klauk, H
  29. Él, PH; Ding, CC; Zou, XM, Li, GL; Hu, W; Ma, C;Flandre, D;Iñiguez, B; Liao, L; Lan, LF; Liu, XQ; "Estabilidad y movilidad mejoradas de transistores de película delgada de óxido procesados ​​en solución con canal de óxido de indio bicapa incorporado con terbio", afirmó. Cartas de física aplicada, vol. 121, número 19, artículo no. 193391, 7 de noviembre de 2022.
  30. Él, PH; Hong, RH; Li, GL; Zou, XM; Hu, W; Lan, LF; Íñiguez, B; Liao, L;Liu, XQ; "Efecto de la humedad sobre las propiedades de los transistores de película delgada de óxido de indio dopados con Tb procesados ​​con agua" Cartas de dispositivos electrónicos IEEE, vol. 43, núm. 11, págs. 1894-97, noviembre de 2022.
  31. , vol. 70, núm. 6, págs. 310-315, junio de 2023.Transmisión IEEE. sobre dispositivos electrónicos película y transistor depositados mediante pulverización catódica con magnetrón RF". x
  32. , vol. 34m no. 35, 15 de junio de 2023.Nanotecnología
  33. , vol. 120, 106846, septiembre de 2023.Electrónica orgánica
  34. , doi: 10.1109/JEDS-2023.3263278.IEEE Journal of the Electron Devices Society
  35. , vol. 207, 108686, septiembre de 2023,Electrónica de estado sólido
  36. , doi: 10.1109/JEDS-2023.3294598.IEEE Journal of the Electron Devices Society

Libros y Libro Capítulos

  1. , M.S. Shur y T.A. Fjeldly, editores, World Scientific Publishers, Singapur, 2000, 703-723.Modelos de DispositivoySimuladoresCircuitSilicon and Beyond: Advanced
  2. y más allá: simuladores de circuitos y modelos de dispositivos avanzados, M.S. Shur y T.A. Fjeldly, editores, World Scientific Publishers, Singapur, 2000, págs. 725-781.Silicon
  3. , Kluwer Academic Publishers, 101 Philip Drive, Assinippi Park, Norwell, MA 02061, págs. 95-141, 2004 Transistores policristalinos de película delgadaTransistores de película delgada. Materiales y Procesos. Volumen 2:
  4. , VDM Verlag, ISBN-10: 9783639148824, 2009.Modelado compacto de dispositivos MOSFET
  5. , Wiley-ISTE, págs. 381-442, 2010.SimulaciónyModelado,Materiales innovadoresCMOS:Nanoescala
  6. . vol. 174, págs. 1-483 (2012).,Avanzado en Imagenología y Física Electrónica,Modelado y Aplicaciones,de ondas milimétricasMedición de tecnología basada en silicio
  7. , editado por B. Iñiguez y T. A. Fjeldly, World Scientific Publishers, vol. 22, núm. 1 de noviembre de 2013.SystemsyVelocidadSistemasAltadeDiarioInternacional,Dispositivos a nanoescaladeModeladoAvanzadoenProblemaEspecial
  8. Fronteras en Electrónica. Modelado avanzado de dispositivos electrónicos a nanoescala. Editores: B. Iñiguez y T. A. Fjeldly. Publicación científica mundial. ISBN:978-981-4583-19-0; 978-981-4583-18-3. ISSN: 1793-1274. 2014.
  9. . World Scientific Publ, págs. 152-194 (2014).Fronteras de la Electrónica. Modelado avanzado de dispositivos electrónicos a nanoescala
  10. Posibles soluciones, Libro blanco del IRDS, 2021.yDesafíos: Electrónica flexible de Hoja de ruta  
  11. B. Iñiguez, "Electrónica flexible", pp. en "Más que dispositivos Moore e integración en semiconductores", editado por F. Balestra y F. Iacopi, SpringerNature, Suiza, 2023,

Charlas invitadas en congresos internacionales .

Desde 2017:

[1] B. Iñiguez, "Modelado compacto de base física de HEMT de GaN" Taller sobre Dispositivos Semiconductores Compuestos y Circuitos Integrados (WOCSDICE), Las Palmas (España), mayo de 2017.

[2] B. Iñiguez, "Modelado y modelado y extracción de parámetros para TFT de óxido orgánico y amorfo" Reunión Técnica IEEE EDS México, Querétaro (México), 10 de octubre de 2018.

[3] B. Iñiguez, "Modelado orientado al diseño de TFT para electrónica flexible" 9ª Conferencia Internacional sobre CAD para transistores TFT (CAD-TFT)," Shenzen (China), noviembre de 2018.

[4] B. Iñiguez, H. Cortes-Ordonez, A. Cerdeira, M. Estrada, S. Jacob, C. Haddad, G. Ghibaudo y F. Mohamed, "Modelado compacto de I-V y Características C-V en OTFT de 125K a 350K”, afirmó. 7ésimo Simposio sobre Materiales, dispositivos y procesamiento de semiconductores orgánicos < /span>, Dallas (TX, EE. UU.), junio de 2019235.ª reunión de la Sociedad Electroquímica

[5] B. Iñiguez, "Dispositivos de barrera Schottky" 3rd Simposio sobre dispositivos MOS de barrera Schottky, París (Francia), 4 de octubre de 2019.

[6] B. Iñiguez, "Modelado de ruido de baja frecuencia en TFT orgánicos y de óxido" 11.ª Conferencia Internacional sobre CAD para transistores TFT (CAD-TFT)," evento virtual, noviembre de 2020.

[7] B. Iñiguez, "Diálogo China-Europa sobre el modelado compacto TFT", en inglés. 11.ª Conferencia Internacional sobre CAD para transistores TFT (CAD-TFT)," evento virtual, noviembre de 2020.

[8] B. Iñiguez, "Análisis y modelado de OTFT e IGZO TFT de 150 a 350K," Taller virtual MOS-AK, septiembre de 202”, " 7ésimo Simposio sobre Materiales, dispositivos y procesamiento de semiconductores orgánicos < /span>, junio de 2021239.ª reunión de la Sociedad Electroquímica

[10] B. Iñiguez, "Modelado compacto de transistores de película delgada (TFT) de óxido orgánico y amorfo de 150 a 350 K," Minicoloquio virtual del capítulo IEEE ED España," 8 de junio de 2021.

[11] Benjamín Iñiguez, Harold Cortés-Ordóñez , Gérard Ghibaudo , Antonio Cerdeira , Magali Estrada, "Modelado compacto de TFT orgánicos e IGZO de 150K a 350K" 5ésima Conferencia de fabricación y tecnología de dispositivos electrónicos (EDTM) del IEEE, Chengdu (China)/virtual, abril de 2021.

[12] B. Iñiguez, "Hoja de ruta de la electrónica flexible: desafíos y soluciones" Taller sobre el futuro de los dispositivos y sistemas nanoelectrónicos más allá de Moore, evento satélite de la Conferencia EUROSOI-ULIS, 31 de agosto de 2021.

[13] B. Iñiguez, "Enfoques de modelado compacto para TFT de semiconductores de óxido orgánico y amorfo" 12.ª Conferencia Internacional sobre Diseño Asistido por Computadora para Tecnologías de Transistores de Película Delgada (CAD-TFT 2021), septiembre de 2021.

[14] B. Iñiguez, "Modelado compacto de TMD FET," 4ésimo Taller MOS-AK de América Latina, Puebla (México), 3 de julio de 2022.

[15] B. Iñiguez, H. Cortés-Ordóñez,, K. Romanjek, M. Charbonneau, G. Ghibaudo, A. Cerdeira, M. Estrada, "Modelado de TFT orgánicos e IGZO de 150 a 370 K," ; Conferencia Internacional TFT 2022 (ITC 2022), Guildford (Reino Unido), septiembre de 2022.

[16] B. Iñiguez, "Soluciones de modelado TFT compactas para FET de semiconductores 2D" Taller CAD-TFT, 5. IEEE International Flexible Electronics Technology, San Jose CA (EE.UU.), Agosto 2023.

[17] B. Iñiguez, "Modelado compacto de transistores de película delgada con efectos de contacto no despreciables" Taller W6 "Transistores controlados por fuente" ESSDERC 2023, Lisboa (Portugal), septiembre de 2023.

Participación en proyectos financiados por laComisión Europea

Título del proyecto : BAYFLEX (Inferencia bayesiana con flexible electrónica para aplicaciones biomédicas), Horizon-EIC-2022-PathfinderOpen, Acuerdo de subvención no. 101099555.

Agencia financiadora: Programa Horizonte 2020. Subprograma Abierto Pathfinder, Comisión Europea.

Organizaciones participantes: Université Paris Saclay (Francia), TU-Dresden (Alemania), URV (España), CEA-Liten (/Francia), Bit Brain Technologies (España) , Instituto Mines-Telecom (Francia).

Duración: del 1 de abril de 2023 al 31 de octubre de 2026

Coordinadora: Laurie Calvet (Ecole Polytechnique). Coordinador del grupo URV: Benjami Iñiguez (URV). Financiación recibida por la URV grupo: 348895 euros

Título del proyecto : Modelado orientado al diseño de electrónica flexible (DOMINO , Convenio de subvención nº 645760.

Agencia de financiación: Comisión Europea, Programa Horizonte 2020, Intercambio de personal de investigación e innovación Marie Skłodowska-Curie (RISE).

Organizaciones participantes: URV, Ecole Polytechnique (Francia), Universidad de Cambridge (Reino Unido), THM (Alemania), CEA-LITEN (Francia), TNO (Países Bajos), Silvaco Ltd. (Reino Unido), Infiniscale (Francia), AdMOS (Alemania)

Coordinador: Benjamí Iñiguez (URV). Director Investigador de la URV equipo: Benjamín Iñiguez ( URV)

Duración: del 1 de diciembre de 2014 al 30 de noviembre de 2018, financiación utilizada hasta el 31 de julio de 2019. Importe total de la subvención del proyecto: 743500 euros. URV subvención importe: 189500

Proyecto título: "SQWIRE" (" ;Silicon Quantum WIREs), STREP, (Contrato nº 257111)

Financiación Agencia: Comisión Europea, 7º Programa Marco, Subprograma de Cooperación

Entidades participantes: URV, Tyndall (Irlanda), Intel (Irlanda), Magwel (Bélgica), LETI (Francia), SOITEC ( Francia), INPG (Francia) Duración, desde: 01/09/2010 a: 31/08/2013

Coordinador general : Jean-Pierre Colinge (Instituto Tyndall). CoordinadordelgrupoURV : BenjamíIñiguez. Financiación recibida porelURVgrupo: 252000 euros.

Proyecto título: "COMÚN: Compacto< /span> ", Asociación y caminos entre la industria y la academia, (Contrato nº 218255).RedModelado

Financiación Entidad: Comisión Europea. Industry Académico Partnership and Pathway (IAPP), Séptimo Programa Marco (FP7) (FP7-PEOPLE-2007-3-1-IAPP).

Entidades participantes: URV, UCL (Bélgica), TUC (Grecia), EPFL (Suiza), ULP (Francia), UniK (Noruega), TU-Ilmenau (Alemania) , ITE (Polamd), Infineon Technologies GmbH (Alemania), AMS GmbH (Austria), RFMD Ltd (Reino Unido), AdMOS GmbH (Alemania), DOLPHIN Integration SA (Francia), Melexis Inc (Ucrania), AIM-Software Inc (Noruega) ).

Duración, desde: 12/01/2008 hasta: 30/11/2012. . Coordinador General: Benjamí Iñiguez (URV)

Total financiación: 1921436 euros. Financiación recibida por el URV grupo: 223809 euros.

Proyecto título: "NANOSIL", Red de Excelencia, (Contrato nº 216171). Entidad financiadora: Comisión Europea, Red de Excelencia, Séptimo Programa Marco (FP7) Entidades participantes: URV, INPG (Francia) y 24 instituciones europeas más, entre ellas 6 empresas). Duración, desde: 01/01/2008 hasta:recibida por 120330 euros.grupo:URVelFinanciación Benjamin Iñíguez Coordinador del grupo URV: Francis Balestra (INPG). Coordinador General:31/12/2010

Transferencia de conocimiento a empresas

[1]Implementación del Proyecto Dr. Iñiguez' Modelo compacto de MOSFET SOI completamente agotados en el simulador de circuitos IsSPICE (modelo incorporado a la versión comercial de ICAP/4 8.0), herramienta desarrollada por Intusoft. Inc. P. O. Box 710, San Pedro, CA, (EE.UU.).
  1. Implementación del programa Dr. Iñiguez' modelos de carga y corriente de sustrato de transistores MOS, y de mi modelo de TFT poli-Si de canal corto en la versión comercial del simulador AIM-Spice (herramienta desarrollada por AIM-Software Inc).
[3]Implementación de "RPI" Modelos compactos TFT, codesarrollados por el Dr. Iñiguez, en la versión comercial del simulador de circuitos SmartSpice (herramienta desarrollada por Silvaco International).
  1. Implementación de "RPI" Modelos compactos TFT, codesarrollados por el Dr. Iñiguez, en la versión comercial del simulador de circuitos HSPICE (Cadence, Synopsis).
  2. Implementación de "RPI" Modelos compactos TFT, codesarrollados por el Dr. Iñiguez, en la versión comercial del simulador de circuito ELDO (Mentor).
[6] Modelo compacto para TFT de óxido amorfo, desarrollado por el Prof. Iñiguez' equipo e incorporado a la versión comercial de SmartSpice (Silvaco Inc.), como MOTFT
  1. Modelo compacto para TFT a-Si:H, desarrollado por el Prof. Iñiguez' equipo e incorporado a SmartSpice (Silvaco Inc.).
[8]Modelo compacto para TFT orgánico desarrollado por el Prof. Iñiguez' equipo e implementado en la versión interna de SMASH (simulador desarrollado por Dolphin).
  1. Modelo compacto para TFT Orgánico desarrollado por el Prof. Iñiguez' equipo, implementado en Verilog-A. El código se envió a todos los socios de la Red de Excelencia FlexNet FP7 para sus eventuales trabajos de extracción de parámetros y diseño de circuitos.
[10] Modelo compacto para MOSFET de doble puerta a nanoescala, desarrollado por el Prof. Iñiguez' equipo e implementado en la versión interna de SMASH (simulador desarrollado por Dolphin).
  1. Modelo compacto para MOSFET y FinFET de doble puerta a nanoescala desarrollado por el Prof. Iñiguez' equipo, implementado en Verilog-A. El código se envió a los socios del proyecto FP7 COMON para sus eventuales extracciones de parámetros y trabajos de diseño de circuitos.
  2. Modelo compacto para HEMT de GaN, codesarrollado por el Prof. Iñiguez' equipo, implementado en Verilog-A. El código se presentó a la convocatoria del Compact Modeling Council para un modelo HEMT de GaN estándar y en 2018 finalmente fue seleccionado como modelo estándar (llamado ASM) por CMC y recomendado a la industria.
  3. Modelo compacto para TFT de Óxido Amorfo de Doble Puerta, desarrollado por el Prof. Iñiguez' equipo e incorporado a SmartSpice (Silvaco Inc.).

Miembro del Consejo Asesor de proyectos financiados por la Comisión Europea

Proyecto título: ASCENSO. Acceso a la Red Europea de Nanoelectrónica, Acuerdo de subvención núm. 654384.

Agencia financiadora: Programa Horizonte 2020. Subprograma INFRAIA, Comisión Europea.

Organizaciones participantes: Tyndall Institute-University College Cork (Irlanda, Coordinador), IMEC (Bélgica), CEA-LETI (Francia). TipoTipo de participación: Benjamín Iñiguez (URV) fue uno de los miembros del Consejo Asesor Internacional de ASCENT. Duración: del 1 de mayo de 2015 al 30 de abril de 2019. Importe total de la subvención del proyecto: 4698623 euros
Proyecto título: ASCENT+. Red Europea de Nanoelectrónica, Acuerdo de subvención núm. 654384.

Agencia financiadora: Programa Horizonte 2020. Subprograma INFRAIA, Comisión Europea.

Organizaciones participantes: Tyndall Institute-University College Cork (Irlanda, Coordinador), IMEC (Bélgica), CEA-LETI (Francia), Fraunhofer Institute (Alemania), LIN (Portugal) ), Instituto SINANO (Francia), MIDAS Ltd. (Irlanda), DSP Valley VZW (Bélgica), Minalogic (Francia), Silicon Saxony EV (Alemania), Universidad de Padua (Italia), Universidad de Gant (Bélgica), CNRS ( Francia), TU-Freiberg (Alemania). Tipo de participación: Benjamín Iñiguez (URV) es uno de los miembros del Consejo Asesor Internacional de ASCENT+. Duración: del 1 de septiembre de 2020 al 31 de agosto de 2024. < a i=9>Importe total de la subvención del proyecto: 9853821 euros

Proyectos financiados por empresas privadas

Título del proyecto: "Modelado de TFT de semiconductores de óxido amorfo", T12129S. Financiamiento : Silvaco Co. (Santa Clara CA, EE. UU.)Empresa

Entidades participantes: URV, Silvaco Duración, desde: 01/06/2012 hasta Financiación recibida: 22.000 euros Benjamí Iñíguez (URV): Líder de proyecto/2013 31/12.

Título del proyecto: "modelo TFT SPICE". T15130S Empresa financiadora: Silvaco Inc. (EE.UU.).

Entidades participantes : URV, Silvaco Duración: 19/02/2016-18/08/2017.

Project leader: Benjamín Iñiguez (URV). Participantes: URV, Silvaco Inc.

Financiación concedida: 22000 euros.

Título del del proyecto: "Doble Puerta Modelo TFT SPICE". Empresa financiadora: Silvaco Inc. (EE.UU.).

Entidades participantes : URV, Silvaco Duración: 01/07/2018-30/06/2019.

Proyecto Líder: Benjamín Iñiguez (URV). Participantes: URV, Silvaco Inc.

Financiación concedida: 18000 euros.

Tesis dirigida Doctoral Tesis

1) Hamdy M. Abd-El-Hamid, "Modelado compacto de MOSFET de puertas múltiples" mayo de 2007.
  1. Oana moldava, " "Modelos compactos de circuitos equivalentes de pequeña señal de MG MOSFET", Mayo de 2008.
3)Michaela Weidemann, "Modelos predictivos 2D y 3D de MOSFET de puertas múltiples". Febrero de 2010. Supervisor: Benjamín Iñiguez (URV). Codirector: Alexander Kloes (Fh. Giessen, Alemania).
  1. Mike Schwarz, "Modelado predictivo analítico bidimensional de Schottky Barrier SOI y MOSFET de puertas múltiples" Octubre de 2012. Supervisor: Benjamín Iñiguez (URV). Codirector: Alexander Kloes (Fh. Giessen, Alemania).
5) Ghader Darbandy, "Modelado compacto de corriente de fuga de túneles de compuerta en MOSFET SOI avanzados a nanoescala" Noviembre 2012. Supervisor: Benjamín Iñiguez.
  1. Alejandra Castro-Carranza. "UMEM-based capacitance modelo para organo field effect transistores: development and implementation," February 2013. Supervisor: Josep Pallarès (URV). Co-supervisor: Benjamin Iñiguez (URV)
7) Muthupandian Cheralathan, "Modelado compacto para MOSFET de puertas múltiples utilizando modelos de transporte avanzados", Febrero 2013. Supervisor: Benjamín Iñiguez.
  1. Thomas Holtij, "Modelado analítico 2D de MOSFET de puertas múltiples basados ​​​​en y sin conexiones a nanoescala". Defensa: septiembre de 2014, Supervisor: Benjamín Iñiguez (URV). Codirector: Alexander Kloes (Fh. Giessen, Alemania).
9) Fetene M. Yigletu, "Modelado compacto basado en la física de HEMT para simulación de circuitos". Defensa: septiembre de 2014, Supervisor: Benjamín Iñiguez (URV).
  1. Michael Gräf, "Modelado analítico bidimensional de FET de túneles". Supervisores: Benjamín Iñiguez y Alexander Kloes (THM, Alemania). Fecha de defensa: 5 de julio de 2017.
  2. Fabian Hosenfeld, "Modelado analítico basado en NEGF de MOSFET avanzados". Supervisores: Benjamín Iñiguez, François Lime y Alexander Kloes (THM, Alemania). Fecha de defensa: 12 de diciembre de 2017.

Desde 2019:

  1. Wondwosen E. Muhea, "Caracterización y modelado compacto del ruido de parpadeo y efecto piezoeléctrico en transistores de efecto de campo avanzados". Defensa: 8 de julio de 2019.
  2. Fabian Horst, "Modelado compacto de CC de FET de túnel". Defensa: 29 de noviembre de 2019. Supervisores: Benjamín Iñiguez (URV), Alexander Kloes (THM, Alemania).
  3. Atieh Farokhneyad, "Modelado analítico de CA del canal intrínseco en túneles-FET" Defensa: 16 de julio de 2020. Supervisores: François Lime (URV), Benjamin Iñiguez (URV), Alehander Kloe (THM, Alemania).
  4. Harold Cortés-Ordóñez, "Análisis del comportamiento físico y modelado compacto dependiente de la temperatura en TFT orgánicos e IGZO". Defensa: 31 de julio de 2020. Supervisor: Benjamín Iñiguez (URV)
  5. Jakob Prüfer, " Modelado compacto en CC de efectos de canal corto en transistores orgánicos de película delgada, Defensa: 28 de febrero de 2022. Supervisores: Benjamín Iñiguez (URV), Alexander Kloes (THM, Alemania).
  6. Jakob Leise, "Charge-Based Compact Modeling of Capacitances and Low-Frequency Noise in OTFTs", Defensa: 26 de abril de 2022. Supervisores: Benjamín Iñiguez (URV), Alexander Kloes (THM, Alemania).
  7. Aristeidis Nikolaou, "Modelado compacto de variabilidad en transistores orgánicos de película delgada". " Defensa: 10 de octubre de 2023. Supervisores: Benjamín Iñiguez (URV), Alexander Kloes (THM, Alemania).

Organizando actividades en conferencias y formación eventos

Desde 2018

  1. Presidente General de ESSRC 2026 (anteriormente ESSDERC-ESSCIRC), Palma (España), septiembre de 2026 (aprobado)
  2. Presidente General de la Conferencia EUROSOI-ULIS, Tarragona (España), mayo de 2023.
  3. Presidente general de la 10ª Conferencia CAD-TFT, Tarragona, 9 y 10 de julio de 2019.
  4. Presidenta General de la SINANO Escuela de Modelaje Verano < /span>, Tarragona, 25-28 de septiembre de 2018
  5. Presidente del Mini-Coloquio IEEE EDS España, Tarragona (España) 24 de mayo de 2019
  6. Presidente del Mini-Coloquio EDS sobre TFTs y Electrónica Flexible, Tarragona, 07/11/2019.
  7. Presidente del Minicoloquio virtual IEEE EDS sobre fotónica y energía fotovoltaica, 31 de julio de 2020.
  8. Presidente del Minicoloquio virtual IEEE EDS sobre modelado compacto, 17 de diciembre de 2020.
  9. Presidente del Mini-Coloquio Virtual del Capítulo España de IEEE ED, 8 de junio de 2021
  10. Presidente del Minicoloquio IEEE EDS sobre TFT para tecnologías emergentes, 2 de septiembre de 2021.
  11. Presidente del IEEE EDS Minicoloquio sobre modelado CAD/EDA, Tarragona, 28 de junio -29 2022.
  12. Presidente del Curso de mejora de habilidades de IEEE EDS sobre electrónica flexible y orgánica”, dijo. Tarragona, 24-25 de noviembre de 2022.
  13. Presidente del IEEE EDS Minicoloquio "75thAniversario del Transistor", Tarragona, 26 de enero de 2023.
  14. Copresidente del 5ésimo Simposio (virtual) sobre dispositivos Schottky Barrier MOS, 30 de junio de 2021.
  15. Copresidente del Taller anual MOS-AK de América Latina, Armenia (Colombia), (2019-22).
  16. Copresidente del 7th Simposio G03 (Materiales, dispositivos y procesamiento orgánicos) de los 235ª Reunión de la Sociedad Electroquímica, Dallas (TX, EE. UU.), mayo de 2019
  17. Presidente del 8Simposio G03 (Materiales, dispositivos y procesamiento orgánicos) de los 239 Reunión de la Sociedad Electroquímica, 2 y 3 de junio de 2021.
  18. Presidente del 9Simposio G03 (Materiales, dispositivos y procesamiento orgánicos) de los 239 Reunión de la Sociedad Electroquímica, del 26 al 30 de mayo de 2024.

Actividades anteriores.

  1. Presidente General del Taller de Electrónica Flexible < /span> , Tarragona (España), 29 de junio de 2016(WFE)
  2. Presidencia General del EUROSOI Taller, Tarragona (España), 27-29 de enero de 2014< /span>
  3. Presidente General de la 8ª Conferencia Internacional sobre Electrónica Orgánica (ICOE), Tarragona, 25-27/06/2012.
  4. Presidente General del 4º Curso de Capacitación sobre< /span>, 30/06/2010-01 /07/2010., Tarragona1er Curso de Formación en Modelado Compacto, 28- 29/06/2012, 2º Curso de Formación en Modelado Compacto , 27-28 de junio de 2016, Modelado Compact

Premios y honores

1)ICREA Academia Prize from ICREA (Catalan Institute for Advanced Research, Generalidad de Cataluña), January 2009

  1. Galardonado con la Distinción de la Generalitat de Catalunya al Fomento de la Investigación Universitaria, en la categoría de investigadores jóvenes, julio de 2004.
3) Dos premios Premium de la Institución de Ingeniería y Tecnología (IET) por trabajos de investigación, publicados en IEE Proceedings: Circuits, Devices and Systems:
4) Obtuvo una Beca para la Intensificación de Actividades de Investigación de la URV (financiada por la URV, el Ministerio de Ciencia de España y la Generalitat de Cataluña), en 2008
5) Obtuvo el título de Miembro Senior del IEEE (Nº de miembro 40189017), en 2003.
  1. Profesor distinguido de la IEEE Electron Device Society, desde 2004
  2. Premio ICREA Academia 2013. Obtenido en enero de 2014 por un período de 5 años, con un importe de 100.000 euros para investigación.
  3. Reconocimiento a la Excelencia Investigadora para el periodo 2005-2016 por el Ministerio de Ciencia e Innovación de España (MICINN), y por la Generalitat de Catalunya (4 valoraciones positivas)

.

Premios y distinciones desde 2019:

  1. Miembro de IEEE, "por sus contribuciones a modelos compactos de semiconductores de dispositivos semiconductores basados ​​en la física", 2019. 
  2. Elegido miembro del BoG al Large de IEEE EDS en diciembre de 2017 y diciembre de 2020
  3. Reconocimiento a la Excelencia Investigadora para el periodo 2016-2022 por el Ministerio de Ciencia e Innovación de España (MICINN) y por la Generalitat de Catalunya
  4. Reconocimiento a la Excelencia en la Transferencia de Conocimiento para el periodo 2013-2018, por el Ministerio de Ciencia de España.
  5. Como Presidente del Capítulo España de IEEE EDS, "Capítulo EDS del Año" Premio de la EDS en 2021, y Capítulo IEEE R8 del Año 2023, categoría Capítulos Medios.
  6. Beca del IEEE EDS para un proyecto de colaboración con el Instituto Tecnológico de Addis Abeba (Etiopía), 18500 euros, 2023.
  7. Beca de IEEE EDS para organizar un curso de mejora de habilidades en electrónica flexible y orgánica, 9000 USD, 2022.
  8. Presidente del Comité de Electrónica Flexible/Usable para la Hoja de Ruta Internacional para Dispositivos y Sistemas More than Moore (2020-).

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