Benjamin Iñiguez
Biografía:
Benjamín Iñiguez se doctoró en Física en 1992 y 1996, respectivamente, por la Universitat de les Illes Balears (UIB). Su tesis doctoral se centró en el modelado de MOSFET submicrónicos. Desde febrero de 1997 a septiembre de 1998 trabajó como Investigador Postdoctoral en el Instituto Politécnico Rensselaer de Troy (NY, EE.UU.), donde abordó la física y el modelado de TFT a-Si:H y poli-Si. Desde septiembre de 1998 hasta enero de 2001 trabajó como científico postdoctoral en la Université catholique de Louvain (Louvain-la-Neuve, Bélgica), con el apoyo de dos becas Marie Curie de la Comisión Europea, y centrándose en la física y el modelado de SOI de película delgada. MOSFET. En febrero de 2001 se incorporó al Departamento de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Control Automático (DEEEiA) de la Universitat Rovira i Virgili (URV), en Tarragona, Cataluña, España) como Profesor Titular. En febrero de 2010 pasó a ser catedrático de la URV. Obtuvo la Distinción de la Generalitat para el Fomento de la Investigación Universitaria en 2004 y el Premio Academia ICREA (máximo galardón para profesores universitarios de Cataluña, del Instituto ICREA) en 2009 y 2014. Lideró dos proyectos de investigación financiados por la Unión Europea ( EU) y ha participado o participa como líder de equipo de la URV en cinco proyectos más financiados por la UE. Ha supervisado o co-supervisado a 19 estudiantes de doctorado. Ha sido presidente de cinco conferencias y talleres internacionales dedicados a dispositivos semiconductores avanzados, así como de cinco cursos de formación internacionales o escuelas de verano sobre modelado de dispositivos.
Es profesor distinguido de EDS desde 2004, editor de IEEE T-ED desde agosto de 2016. En 2019 fue elegido miembro del IEEE. En 2024 fue nombrado vicepresidente del Subcomité de Regiones y Capítulos de la EDS. También fue presidente del Consejo Técnico de Modelado Compacto de EDS (2017-2020), miembro general del BoG de EDS desde (2018-2022) y presidente del Capítulo ED de España (2019-2022), y presidente del SRC de la Región 8 de EDS ( 2023).
Sus principales intereses de investigación son la caracterización, extracción de parámetros y modelado compacto de dispositivos semiconductores emergentes, en particular MOSFET de puerta múltiple a nanoescala, HEMT GaN, transistores de película delgada orgánicos y de óxido y sensores electroquímicos orgánicos. Varios de los modelos de los que fue autor o coautor están disponibles en muchas herramientas comerciales de automatización de diseño electrónico (EDA), en particular modelos TFT. Es uno de los autores del modelo ASM GaN HEMT, seleccionado como estándar por la Compact Modeling Coalition en 2017. Ha publicado más de 190 artículos de investigación en revistas internacionales y más de 180 resúmenes en actas de congresos.
Desde mayo de 2024, también es el responsable académico en la URV del Máster interuniversitario en Ingeniería de Diseño de Semiconductores y Diseño Microelectrónico.
François Lime
François Lime obtuvó el master y doctorado del Institut National Polytechnique de Grenoble,
Grenoble, Francia, en 2000 y 2004, respectivamente. Desde entonces hasta diciembre de 2008,
trabajó como Investigador Asociado Postdoctoral en la Universitat Rovira I Virgili, Tarragona
(URV), España y en el Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP-
LAHC), Grenoble, Francia. En enero de 2009 se incorporó a la URV como investigador Ramón y
Cajal, y actualmente es profesor agregado Serra Hunter desde 2014.
Sus actividades de investigación anteriores se referían a la caracterización eléctrica y el
modelado en el campo de los dieléctricos de compuerta de alta permitividad y los dispositivos
de silicio tensado. Sus intereses de investigación actuales son el modelado compacto de
dispositivos electrónicos, especialmente MOSFET y OTFT de compuertas múltiples, así como la
caracterización eléctrica de estos dispositivos.
Nadine Dersch
Nadine Dersch recibió la licenciatura en ingeniería y el máster en ciencias en la Technische Hochschule Mittelhessen (THM, Universidad de Ciencias Aplicadas) Campus Giessen, Alemania, en octubre de 2021 y marzo de 2023. A partir de junio de 2022, va empezar su trabajo en nanoelectrónica/dispositivo. Grupo de modelado en el THM e inicialmente se ocupó del modelado compacto de transistores de película delgada de semiconductores de óxido amorfo (AOS-TFT). Posteriormente, como parte de la tesis de master, se trató el tema de la simulación eficiente de circuitos de una matriz de barras transversales memristivas con variabilidad de peso sináptico. El foco se centró en la consideración de la memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM).
Desde octubre de 2023 está cursando su doctorado en la Universidad Rovira i Virgili. Su trabajo se centra en el desarrollo de enfoques de modelización basados en la física para memristores, en particular en lo que se refiere al comportamiento de conmutación estocástica, y su implementación en redes neuronales artificiales basadas en hardware.
Eufamer Carabalí
Hace 23 años llegué a España desde Colombia y me establecí en Cambrils, donde formé mi familia y empecé mis labores laborales como técnico electromecánico industrial. Con el tiempo homologué mis estudios de ingeniería técnica en electrónica industrial; previa superación de 60 créditos ETCs en la escuela de ingenieros técnicos industriales de Barcelona (EUTIB) adscrita a la UPC. Más adelante continue estudiando un máster en prevención de riesgos laborales en la universidad Rovira i Virgili finalizado en 2013. Posteriormente, realicé otro máster universitario en ingeniería y tecnología de los sistemas electrónicos con acceso a doctorado, en la URV. Finalmente, en el 2020 comencé los estudios de PhD en la Rovira i Virgili que curso actualmente a tiempo parcial y combino con mi trabajo como técnico superior de prevención de riesgos laborales en la empresa Veolia Serveis Catalunya, ubicada en la zona franca del Parc Logistic de Barcelona.
Ermias Hasun Teka
Ermias Telahun Teka obtuvo su Licenciatura en Ingeniería Eléctrica (Electrónica) (2015) por la Universidad de Addis Abeba (AAU), Addis Abeba, Etiopía y su Máster en Ingeniería Microelectrónica (2020) por AAU. Ha trabajado como profesor ayudante de agosto de 2015 a diciembre de 2020 y como profesor desde diciembre de 2020 a agosto de 2023 en la Universidad de Addis Abeba. Actualmente está cursando su doctorado en la URV sobre Modelización de dispositivos neuromórficos orgánicos para aplicaciones biomédicas.
Ahmed Mounir
Ahmed Mounir es actualmente investigador doctor en la Universidad Rovira y Virgili de Tarragona, España. Su trabajo se centra en el desarrollo de modelos compactos para transistores de efecto de campo (FET) MoS2, colaborando con Intel y TU Wien. Durante su doctorado, Ahmed completó una estancia de investigación en el Instituto de Microelectrónica de TU Wien, ampliando su experiencia en tecnología de semiconductores. Antes de su doctorado, Ahmed obtuvo un master en Ingeniería en Nanotecnología de la Academia Árabe de Ciencia y Tecnología de Egipto. Este máster fue financiado por el proyecto TEMPUS de la Unión Europea, lo que subraya su compromiso por avanzar en el modelado de dispositivos semiconductores. Su interés de investigación es el modelado de dispositivos semiconductores.